薄膜工艺技术.pptxVIP

薄膜工艺技术交流 ;CVD局部;一：概述; 经过数十年的开展，CVD已经成为半导体生产过程中最重要的薄膜沉积方法。PVD的应用大都局限在金属膜的沉积上；而CVD几乎所有的半导体元件所需要的薄膜，不管是导体，半导体，或者介电材料，都可以沉积。 在目前的VLSI及ULSI生产过程中，除了某些材料因特殊原因还在用溅镀法之外，如铝硅铜合金及钛等，所有其他的薄膜均用CVD法来沉积。;二：CVD沉积原理及特点;二：CVD沉积原理及特点;二：CVD沉积原理及特点;三：CVD沉积膜及其应用;三：CVD沉积膜及其应用;;3 ：关于TEOS TEOS结构： 用TEOS代替普通SIO2原因：用于IMD，台阶覆盖性极好；热稳定性好；相对普通的二氧化硅，较致密 缺点：颗粒度 与TEOS相对应，BPSG可用TMB，TMPO来沉积。 SI〔OC2H5〕4，B〔OC2H5〕3，PO〔OCH3〕3 代替了由剧毒的B2H6和PH3。 4：Tungsten plug〔画图〕 用于上下金属层间的中间金属连接物，用钨的原因？根本上会用钨来作为半导体元件的金属内连线。原因？ ;四：CVD方法及设备;3：LPCVD和PECVD沉积膜差异 一般的，PECVD主要用来沉积介电材料膜。而LPCVD那么都可进行沉积〔本公司也不例外〕。 对于介电材料膜区别： SIO2：主要是台阶覆盖性区别〔IMD〕。 SN： LPCVD用SIH2CL2为主的反响物〔因为以SIH4为主的反响物沉积的SN均匀性较差〕；此法沉积的SN膜成分单纯，一般用在SIO2 层之刻蚀或FOX的掩模上。而PECVD 是以SIH4为主的反响物，成分不如LP的单纯。原因？ 应力：LPCVD法沉积的SN应力非常大，故LPCVD沉积的SN不宜超过一定的范围，以免发生龟裂。由于PECVD可以凭借RF功率的调整，来控制离子对沉积膜的轰击，使SN应力下降。所以用作保护层的SN可以沉积的比较厚〔PECVD沉积的〕，以便抵挡外来的水气、碱金属离子及机械性的创伤。这可以说是以PECVD法进行薄膜沉积时除了反响温度的另外一个主要优点。;五：薄膜技术的开展和应用;Thanks