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场效应管的问题点解答 1 场效应管的性能与双极型三极管比较具有哪些特点答： 场效应管是另一种半导体放大器件。在场效应管中只是多子参与导电，故称为单极型三极管；而普通三极管参与导电的，既有多数载流子，又有少数载流子，故称为双极型三极管。由于少数载流子的浓度易受温度的影响，因此，在温度稳定性、低噪声等方面前者优于后者。 2．双极型三极管是电流控制器件，通过控制基极电流到达控制输出电流的目的。因此， 基极总有一定的电流，故三极管的输人电阻较低；场效应管是电压控制器件，其输出电 9流决定于栅源极之间的电压， 栅极基本上不取电流， 因此，它的输入电阻很高， 可达 10 ～ 1014Ω。高输入电阻是场效应管的突出优点。 9 3．场效应管的漏极和源极可以互换， 耗尽型绝缘栅管的栅极电压可正可负， 灵活性比双极型三极管强。 4 场效应管和三极管都可以用于放大或作可控开关。但场效应管还可以作为压控电阻使用，可以在微电流、低电压条件下工作。且便于集成。在大规模和超大规模集成电路中应用极为广泛。 场效应管的伏安特性如何表示试以 N沟道结型场效应管为例，说明场效应管的输出特性曲线与双极型三极管的输出特性有和区别 答： 场效应管的伏安特性用输出特性（又称漏极特性） Id=f(Vds)|Vgs= 常数和转移特性Id=f(Vgs)|Vds= 常数表示。它们都反映了场效应管工作的同一物理过程，转移特性可以直接从输出特性上用作图法 #0; 一对应地求出。 N沟道结型场效应管的输出特性曲线与双极型三极管的输出特性相比有类似之处，但有区别，详见表 1 ．3． 2。 何为场效应管的开启电压 Vt 和夹断电压 Vp 在图 1.3.3(a) 和(b) 所示场效应管的输出 特性曲线上如何确定其值答： 对于增强型绝缘栅型场效应管 (MOSFET，) 在 Vgs=0时不存在导电沟道，只有当 Vgs 达到 开启电压 Vt 时才有漏极电流 Id 。因此，在输出特性中， Id 大于或等于零（即开始出现 Id ）时所对应的 Vgs值即为开启电压计。一般， N沟道增强型 MOSFE的T 沟道的 Vt 值为负值。 Vt 值为正值， P 图 1．3．3（a）所示为 P 沟道增强型 MOSFE的T 压 Vt=-2V 。 输出特性曲线，由图可知该管的开启电 对于结型场效应管（ JFET）和耗尽型绝缘栅型场效应管（ MOSFE）T ，当 Vgs=0 时已存在导电沟道，栅源电压 Vgs 等于夹断电压 Vp 时，沟道夹断，漏极电流 Id=0 。一般 N沟道FET的 Vp 值为负值，而 P 沟道 FET的 Vp值为正值。 图 1．3．3（ b ）所示为 N沟道 JFET的输出特性曲线。根据以上分析， Id=0 所对应的 Vgs 值为夹断电压，故 Vp＝-5V 。 由于可变电阻区和饱和区的分界线是预夹断点的轨迹，预夹断时， Vgd=Vp。因此，在输出特性上，用 Vds 的值来表示预夹断点时，可求得： Vds=Vdg+Vgs=Vgs-Vgd=Vgs-Vp 故由预夹断轨迹，也可求得 Vp。例如，在图 1·3．3（b）中， Vgs=OV那条曲线与预夹断分界线交点所对应的 Vds值就是 -Vp ，即-Vp=5V；而 Vgs=-2V 那条曲线与预夹断分界线 交点所对应的 Vds 值减去 Vgs也是一 Vp，可得出 -Vp=Vds-Vgs=3V-(-2)V=5V 。余此类推。 场效应管有许多类型，它们的输出特性及转移特性各不相同，不同类型的场效应管各极间所加电压极性也不相同，试总结它们的规律。 答： 场效应管的种类很多，有结型 FET、耗尽型 MOSFE、T 增强型 MOSFE，T每一类型又有 P沟道和 N沟道之分。各种类型场效应管的符号和特性曲线见表 1·3· 4（ a）。 为了保证它们工作在饱和区（即放大区）起放大作用， Vgs 和 Vds 的极性有如下规律。 Vds 值的极性取决于导电沟道的类型 凡是 N沟道，载流子是电子，欲使电子向漏极漂移运动， Vds 必为正值；凡是 P沟道， 载流子是空穴，欲使空穴向漏极漂移运动， Vds 必为负值。 Vgs 值的极性取决于工作方式和导电沟道的类型 对于结型场效应管， 要求栅源极间加反向偏置电压。 如果是 N 沟道，栅极为 P 型半导体， 为使 PN结反偏，要求 Vgs≤0；如果是 P沟道，要求 Vgs≥0。 对于绝缘栅型 MOSFE，T 如果是增强型 N沟道，为了吸引电子形成 N沟道，栅极必须加正电压，即 Vgs≥O。如果是耗尽型 N沟道，为了排斥沟道中的电子，使沟道变窄，栅极必 须加负电压，即 Vgs≤0；为了加宽沟道，吸引更多电