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- 2021-11-14 发布于广东
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非逻辑的真值表如表10.8所示。其逻辑函数表达式如下: A Y 0 1 1 0 (10-7) 表10.8 非逻辑真值表 10.2 基本逻辑门电路 10.2.3.2 非门(反相器)电路 图10.6为典型三极管开关电路。 通过设计合理的参数,使三极管只工作在饱和区和截止区。当输入信号A为低电平0.3V时,三极管截止,输出Y为高电平VCC;当输入信号A为高电平3V时,三极管饱和导通,输出Y为低电平0.3V。所以输入和输出就是反相关系,称为非门或反相器。 图10.6 非门电路、逻辑符号、真值表、波形图 (a)逻辑电路;(b)逻辑符号;(c)真值表;(d)波形图 10.2 基本逻辑门电路 10.2.4.1 与非门电路 在二极管与门输出端接一个反相器,就构成如图10.7所示的与非门电路。由前面对与门和非门的分析可知与非门的逻辑功能,即“有低出高,全高出低”。真值表和逻辑符号如图10.7所示。波形图可根据与门和非门波形图自行画出。 与非门逻辑表达式为: 10.2.4 复合门电路 (10.8) 10.2 基本逻辑门电路 图10.7 与非门电路、真值表和逻辑符号 (a)逻辑电路;(b)真值表;(c)逻辑符号 10.2 基本逻辑门电路 10.2.4.2 或非门电路 在二极管或门的输出端接一个反相器,就构成如图10.8所示的或非门。由前面对或门和非门的分析可知或非门的逻辑功能,即“有高出低,全低出高”。真值表和逻辑符号如图10.8所示。 或非门逻辑表达式为: (10.9) 图108或非门电路、 真值表和逻辑符号 (a)逻辑电路;(b)真值表; (c)逻辑符号 10.2 基本逻辑门电路 10.3.1.1 电路组成 图10.9为74LS00反相器电路。它由三部分组成。 10.3 集成逻辑门电路 10.3.1 TTL反相器 图10.9 74LS00系列反相器 10.3 集成逻辑门电路 输入级:由T1、R1和D5组成。D5为输入保护二极管,在正常情况下,输入电压 在0.3~3.6V之间变化,D5始终处于反偏状态,相当于开路;当输入端出现负向干扰电压时,可以起到抑制作用,即保证输入电平低于-0.7V时,防止T1发射极电流过大,从而起到保护作用。 中间级:由T2、R2和R3组成倒相级。从T2集电极和发射极输出相反的信号。 输出级:由T3、T4、D6和R4组成。这种结构的特点是降低输出级静态损耗和提高带负载能力。 10.3 集成逻辑门电路 10.3.1.2 工作原理 输入端A为低电平0.3V。在图10.9中,T1管发射极为低电平0.3V时,发射结正向导通,IR1较大, T1的基极电位被钳位在1V,而T1集电极回路电阻R2和T2的b、c反相电阻之和,其值非常大,故I很小,即T1处于深饱和状态,饱和压降为UCE1=0.1V。此时 因此, T2处于截止状态,则IC2=0,IE2=0,T4基极电位等于0,所以T4也是截止的。由于T2截止, 接近+VCC,因而使T3和D6处于导通状态,这时输出电平为 即输出为高电平。 V V 10.3 集成逻辑门电路 10.3 集成逻辑门电路 10.3 集成逻辑门电路 TTL与非门电路如图10.10所示。它与图10.9所示反相器不同的是T1管采用了多发射极三极管。 10.3.2 TTL与非门 图 10-10 TTL与非门 10.3 集成逻辑门电路 10.3 集成逻辑门电路 图 10-11 多发射极三极管及其等效电路 (a)多发射极三极管 ;( b)等效电路 10.3 集成逻辑门电路 同理,也可以用类似的结构构成TTL或门、或非门、与或非门、OC门等。这里不再一一介绍。集成门电路的符号与分立元件门电路完全相同。一般TTL集成电路的结构如图10-12所示。 图 10-12 一般TTL集成电路结构框图 10.3 集成逻辑门电路 由与门、或门、非门等基本逻辑门组成的组合逻辑电路是没有记忆功能的,在数字电路和计算机系统中,需要具有记忆和存储功能的逻辑部件,触发器就是组成这类逻辑部件的基本单元。触发器在某一时刻的输出不仅和当时的输入状态有关,而且还与在此之前的电路状态有关。即当输入信号消失后,触发器的状态被保持(记忆),直到再输入信号后它的状态方可能变化。因而,触发器和基本逻辑电路、组合逻辑电路相比较最大的区别是触发器具有记忆功能,通常应用于将瞬时变化状态转换为恒定状态。 10.4 触发器 10.4 触发器 10.4.1.1 电路组成 将两个与非门的输入端与输出端交叉耦合就组成一个基本RS触发器,如 图10.13(a)所示,其 中 、 是它的两个 输入端,非号表示低 电平
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