级_单片机课程设计_学生.docxVIP

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级_单片机课程设计_学生 级_单片机课程设计_学生 级_单片机课程设计_学生 级_单片机课程设计 指导老师: 廖迎新 设计题目: 高精度电子温度计 设计要求: 利用单片机 STC12C5608AD、温度传感器 DS18B20和数码块等,设计一个智能温度检测器。 元件清单: 元件型号、参数 10uF 电解电容 0.1 uF 电容 位单排针座 pF 电容 贴片)发光二级管 3 位单排针座 DS18B20) 位共阴数码块 2 位单排针座 电源) 8050 NPN 三极管 电阻 贴片) 1k 电阻 电阻 拨动开关 复位按钮 STC12C5608AD STC12C5608AD插座 12MHz 晶振 电源线 下载器  图中标号 数目 C5 ,C7,CR1 3 C6 ,C8 2 CON3 1 CY1 ,CY2 2 D17 1 JK1 1 LED1, LED2 2 POWER1 1 Q2,Q3,Q4,Q5 4 R17 ,RST13 2 RS1 ,RS2,RST2 ,RST3 ,RST9 ,RST10 6 RST1,RST4,RST5,,RST6,RST7,RST8,RST11,RST12, R18 9 S1 1 ST1 1 U2 1 1 个 Y1 1 1 根 1 个 1/11 硬件电路: 程序设计: 1、数码块驱动 STC12C5410AD 单片机上电复位后为准双向口 /弱上拉模式, 2V 以上为高电平, 0.8V 以下为低电 平。每个 I/O 口驱动能力可达 20mA ,但整个芯片不得超出 55mA( 或 90mA 。 I/O 口工作方式设定如 下 n={3,2,1,0} ) P3M0[7:0] P3M1[7:0] I/O 口模式 0 0 准双向口 0 1 强推挽输出 1 0 仅输入 1 1 开漏 P3 存放器可位寻址, P3M1 、 P3M0 不行位寻址。 P2 口设定: P2M1 , P2M0 。 P2 存放器可位寻址, P2M1 、P2M0 不行位寻址。 P1 口设定: P1M1 , P1M0 。 P1 存放器可位寻址, P1M1 、P1M0 不行位寻址。 P0 口设定: P0M1 , P0M0 。 P0 存放器可位寻址, P0M1 、P0M0 不行位寻址。 P2M0=0x00 。 //P2 口设为推挽模式,提升数码块亮度 P2M1=0xff 。 P3M0=0x00 。 //P3 口设为推挽模式 P3M1=0xff 。 2、 DS18B20 接见 2/11 T0 初始化,实现 4ms 定 时 (每个数码块显示时间 开 T0 溢出中止,并启动 T0  发 DS18B20 复位信号 发跳过 ROM 命令 CCH 发启动变换命令 44H  开始 N 1s 到否? 调整显存 采样时间到否?  N  变换结束否否? Y  N  Y 采样标记置 1 Y TR0=0严禁中 断) 对温度采样  发 DS18B20 复位信号发跳过 ROM 命令发读温度命令 BEH  显示 1 位数,并准备下 次显示数的序号 返回 图 3 T0 中止服务子程序 TR0=1开中止) 对采样数据进行办理 , 采样标记清零 图 1 主程序流程图 INITIALIZATION TIMING READ/WRITE TIME SLOT TIMING  接收并保存温度数据 返回 图 2 温度采样流程图 3/11 开始 开始 DQ0=0,以后延时 2us DQ0=0,以后延时 2us DQ0=1,以后延时 2us 发送 1 位数据,以后延 时 120us 保存接收到的 1 位数 据,以后延时 120us DQ0=1,以后延时 2us 接收完 8 位否? N 发送完 8 位否? N Y Y 返回 返回 图4读1个字节 图5写1个字节 负数补码取反 +1=负数原码大小 TEMPERATURE REGISTER FORMAT (负数补码 -1取反 =负数原码大小 bit7 bit6 bit5 bit4 bit3 bit2 bit1 bit0 LS Byte 23 22 21 20 2-1 2-2 2-3 2-4 bit15 bit14 bit13 bit12 bit11 bit10 bit9 bit8 MS Byte S S S S S 26 25 24 TEMPERATURE/DATA RELATIONSHIP TEMPERATURE DIGITAL OUTPUT(Binary DIGITAL OUTPUT(Hex +125°C 0000 0111 1101 0000 07D0h +85°C* 0000 0101 0101 0000 0550h +25.0625 C° 0000 0001 1001 0001 0191h +10.125

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