模拟电路第5章.pptxVIP

模拟电路第5章会计学JFET结型FET场效应管MOSFET(IGFET)绝缘栅型第1页/共68页4 场效应管放大电路N沟道分类：（耗尽型）P沟道N沟道增强型P沟道N沟道耗尽型P沟道增强型：场效应管没有加偏置电压时，没有导电沟道耗尽型：场效应管没有加偏置电压时，就有导电沟道存在第2页/共68页5.1 结型场效应管 5.1.1 JFET的结构和工作原理? 结构? 工作原理 5.1.2 JFET的特性曲线及参数 ? 输出特性? 转移特性? 主要参数第3页/共68页5.1.1 JFET的结构和工作原理1. 结构5.1结型场效应管工作原理栅极，用G或g表示栅极，用G或g表示符号符号P型区 P型区第4页/共68页5.1.1 JFET的结构和工作原理1. 结构漏极，用D或d表示 源极，用S或s表示N型导电沟道# 符号中的箭头方向表示什么？5.1结型场效应管工作原理第5页/共68页2. 工作原理（以N沟道JFET为例）① VGS对沟道的控制作用当VGS＜0时PN结反偏?耗尽层加厚沟道变窄。? VGS继续减小，沟道继续变窄 当沟道夹断时，对应的栅源电压VGS称为夹断电压VP （ 或VGS(off) ）。对于N沟道的JFET，VP 0。5.1结型场效应管工作原理第6页/共68页2. 工作原理（以N沟道JFET为例）② VDS对沟道的控制作用当VGS=0时，VDS??ID ? G、D间PN结的反向电压增加，使靠近漏极处的耗尽层加宽，沟道变窄，从上至下呈楔形分布。 当VDS增加到使VGD=VP 时，在紧靠漏极处出现预夹断。此时VDS ?夹断区延长??沟道电阻??ID基本不变5.1结型场效应管工作原理第7页/共68页2. 工作原理（以N沟道JFET为例）③ VGS和VDS同时作用时 导电沟道更容易夹断，当VP VGS0 时， 对于同样的VDS ， ID的值比VGS=0时的值要小。在预夹断处VGD=VGS-VDS =VP 第8页/共68页5.1结型场效应管工作原理第9页/共68页综上分析可知 沟道中只有一种类型的多数载流子参与导电， 所以场效应管也称为单极型三极管。 JFET栅极与沟道间的PN结是反向偏置的，因 此iG?0，输入电阻很高。JFET是电压控制电流器件，iD受vGS控制预夹断前iD与vDS呈近似线性关系；预夹断后， iD趋于饱和。# 为什么JFET的输入电阻比BJT高得多？5.1结型场效应管工作原理VP第10页/共68页5.1.2 JFET的特性曲线及参数1. 输出特性2. 转移特性IDSS是uGS=0情况下，产生预夹断时的ID，为饱和漏极电流# JFET有正常放大作用时，沟道处于什么状态？5.1结型场效应管工作原理﹤﹤﹥第11页/共68页对于N沟道JFET管的输出特性，可分为三个区：当 uGS＜VP 时 ，ID=0，为截止工作状态截止区可变电阻区饱和区5.1结型场效应管工作原理3. 主要参数第12页/共68页① 夹断电压VP (或VGS(off))：漏极电流约为零时的VGS值 。② 饱和漏极电流IDSS：VGS=0时对应的漏极电流。 低频跨导反映了vGS对iD的控制作用。gm可以在转移特性曲线上求得，单位是mS(毫西门子)。 ③ 低频跨导gm：或④ 输出电阻rd：5.1结型场效应管工作原理3. 主要参数第13页/共68页⑤ 直流输入电阻RGS： 对于结型场效应三极管，反偏时RGS约大于107Ω。⑥ 最大漏源电压V(BR)DS: 发生雪崩击穿、iD急剧上升的VDS⑦ 最大栅源电压V(BR)GS： 指输入PN结反向电流开始急剧增加时的VGS⑧ 最大漏极功耗PDM： PDM=VDSiD, JFET的耗散功率不能超过PDM5.1 结型场效应管工作原理第14页/共68页 结型场效应管的缺点：1. 栅源极间的电阻虽然可达107以上，但在某些场合仍嫌不够高。2. 在高温下，PN结的反向电流增大，栅源极间的电阻会显著下降。3. 栅源极间的PN结加正向电压时，将出现较大的栅极电流。绝缘栅场效应管可以很好地解决这些问题。GSDDNNGPS第15页/共68页5.3绝缘栅场效应管1、结构和电路符号金属铝两个N区SiO2绝缘层P型基底导电沟道N沟道增强型5.3 MOS场效应管工作原理UDSUGSID=0SDGNN漏极与衬底间的PN结反偏，源漏间无电流通过P第16页/共68页2、MOS管的工作原理以N 沟道增强型为例UGS=0时对应截止区增强型MOS管在零偏时不导电5.3 MOS场效应管工作原理UGS足够大时（UGSVT）感应出足够多电子，这里出现以电子导电为主的N型导电沟道。UDSUGSSDGNNP 第17页/共68页2、MOS管的工作原理UGS0时感应出电子VT称为阈值电压5.3 MOS场效应管工作原理UDSUGSSDGNNP第18页/共