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1.2 媒质分界面衔接条件和媒质边界条件
1.2.1 媒质分界面衔接条件
在求解电磁场问题时，在不同媒质分界面上场的解答必须匹配，已学过的有：
电场：
n E 2 E1 0
n D D
2 1
磁场：
n H H J
2 1 S
n B B 0
2 1
电流场 (恒定电场 )
n E E 0
2 1
n J 2 J 1 0
下面进一步分析媒质分界面上场矢量发生突变的一般情况。
1．面散度场源可能引起场磁量法向分量的突变：
在电场中，散度场源 D b ( r ) 存在。设电场中两种媒质之间 存在一个过渡层 ，
媒质性能参数由 1 、 1 、 1 连续变化为 2 、 2 、 2 ，厚度 h 很小，取 h 为一扁盒圆
柱面的高， 为过渡层内体自由电荷密度。如图所示，规定分界面上的正法向方向。
由高斯通量定理
n
1 D D d s D s D s
2 2 2 1 1
S
2 n D 2 D 1 s
D dV h s
V
2 、 2 、 2 h
n ( D 2 D 1 ) h
1 、 1 、 1 讨论：
s
1
D h 0 ，即媒质参数
1 n (1) 若 为有限值，则当
2
发生跃变时，扁盒内的电荷量 q = h 0
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