一种抑制闪存过擦除的方法、装置、电子设备及存储介质与流程.docxVIP

PAGE PAGE 1 一种抑制闪存过擦除的方法、装置、电子设备及存储介质与流程 1.本技术涉及芯片技术领域，具体而言，涉及一种抑制闪存过擦除的方法、装置、电子设备及存储介质。背景技术：2.nor flash在进行擦除操作时，由于存储单元的擦除难度不全都，导致有部分存储单元在擦除完成后仍被连续擦除而造成过擦除现象，被过擦除的存储单元的阈值电压特殊低，在读取这些存储单元数据的过程中，在非选择栅压下(通常为0v)，几个单元有漏电，从而会引起字线上读不出正确的数据的问题，特殊是多次擦写循环后，增加了阈值电压的不确定性。3.因此，为了挽救这些被过擦除的存储单元，现有nor flash为了折中擦除操作性能和牢靠性，一般在擦除操作结束阶段增加过擦除检查及修复处理，从而导致擦除操作算法流程比较简单，也牺牲了部分数据保持力量，若能供应一种可抑制过擦除引起的漏电问题的方法，即能免去擦除操作该处理部分。4.针对上述问题，目前尚未有有效的技术解决方案。技术实现要素：5.本技术实施例的目的在于供应一种抑制闪存过擦除的方法、装置、电子设备及存储介质，以抑制过擦除存储单元在读取过程中消灭的漏电行为，进而使得擦除存储单元可在不修复的状况下进行正常用法。6.第一方面，本技术实施例供应了一种抑制闪存过擦除的方法，用于抑制nor flash中存储单元的过擦除现象，所述