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2021-11-15 发布于江苏
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相变化存储器.docx

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（19 ）中华人民共和国国家知识产权局（12 ）发明专利申请（10）申请公布号CN101388246A （43）申请公布日 2009.03.18 （21 ）申请号 CN200710149650.2 （22 ）申请日 2007.09.10 （71 ）申请人财团法人工业技术研究院;力晶半导体股份有限公司;南亚科技股份有限公司;茂德科技股份有限公司;华邦电子股份有限公司地址中国台湾新竹县（72 ）发明人赵得胜（74 ）专利代理机构北京市柳沈律师事务所代理人王志森（51 ）Int.CI G11C11/56; 权利要求说明书说明书幅图（54 ）发明名称相变化存储器（57 ）摘要一种相变化存储器，包括一个以上的主存储单元，产生至少一检测信号，其中每一该主存储单元具有一纪录层；一个以上的参考存储单元，产生至少一参考信号，其中每一该参考存储单元具有一记录层；以及一比较电路，用以比较该至少一检测信号与该至少一参考信号而产生至少一对应于比较结果的输出信号。该多个参考存