模拟电路半导体三极管及放大电路基础剖析.pptx

模拟电路半导体三极管及放大电路基础剖析第1页/共63页3.1 半导体三极管（BJT）的结构简介的电流分配与放大原理的特性曲线的主要参数 半导体三极管的结构示意图如图03.1.01所示。它有两种类型:NPN型和PNP型。两种类型的三极管第2页/共63页的结构简介 发射极，用E或e表示（Emitter）；集电极，用C或c表示（Collector）。集电区 发射区基区发射结(Je) 集电结(Jc) 基极，用B或b表示（Base）三极管符号管芯结构剖面图第3页/共63页 结构特点：? 发射区的掺杂浓度最高；? 集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大；? 基区很薄，一般在几个微米至几十个微米，且掺杂浓度最低。载流子的传输过程第4页/共63页BJT的电流分配与放大原理 三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下，通过载流子传输体现出来的。 外部条件：发射结正偏，集电结反偏。1. 内部载流子的传输过程发射区：发射载流子集电区：收集载流子基区：传送和控制载流子 （以NPN为例） 第5页/共63页载流子的传输过程第6页/共63页BJT的电流分配与放大原理 以上看出，三极管内有两种载流子(自由电子和空穴)参与导电，故称为双极型三极管。或BJT (Bipolar Junction Transistor)。 ? 为电流放大系数，它只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。一般 ? = 0.9?0.99载流子的传输过程第7页/共63页2. 电流分配关系根据传输过程可知IE=IB+ IC IC= InC+ ICBOIB= IB’ - ICBO通常 IC ICBO且令ICEO= (1+ ? ) ICBO（穿透电流ICEO ：当基极开路时，IB＝0，此时的集电极电流） ? 是交流（或动态）电流放大系数，同样，它也只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。一般 ? 1第8页/共63页2. 电流分配关系根据 IC= InC+ ICBOIE=IB+ ICBJT的三种组态第9页/共63页3. 三极管的三种组态共发射极接法，发射极作为公共电极，用CE表示；共基极接法，基极作为公共电极，用CB表示。共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC表示;++?vO-ec-b 图 03.1.05 共基极放大电路RL1k?第10页/共63页4. 放大作用IEIC+?iC+?iEVEB+?vEB?vIIB+?iBVEEVCC若?vI = 20mV使?iE = -1 mA，当? = 0.98 时，则?iC = ? ?iE = -0.98 mA，?vO = -?iC? RL = 0.98 V，电压放大倍数（增益）+cRL?vOb1k?+-e+--共射极放大电路 图 03.1.06 共射极放大电路第11页/共63页4. 放大作用若?vI = 20mV IC+?iC使?iB = 20 uAIB+?iB设?VBE+?vBE则?vIVCCIE+?iEVBB?vO = -?iC? RL = -0.98 V，电压放大倍数第12页/共63页BJT的电流分配与放大原理 综上所述，三极管的放大作用，主要是依靠它的发射极电流能够通过基区传输，然后到达集电极而实现的。实现这一传输过程的两个条件是：（1）内部条件：发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度，且基区很薄。（2）外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置。+iCvCEciBvCE = 0VvCE = 0VvCE ? 1Vb-+vBEe-VCCVBB共射极放大电路第13页/共63页的特性曲线1. 输入特性曲线（以共射极放大电路为例） iB=f(vBE)? vCE=const(1) 当vCE=0V时，相当于发射结的正向伏安特性曲线。(2) 当vCE≥1V时， vCB= vCE - vBE0，集电结已进入反偏状态，开始收 集电子，基区复合减少，同样的vBE下 IB减小，特性曲线右移。第14页/共63页的特性曲线1. 输入特性曲线(3) 输入特性曲线的三个部分①死区 ②非线性区③线性区 第15页/共63页的特性曲线2. 输出特性曲线输出特性曲线饱和区：iC明显受vCE控制的区域，该区域内，一般vCE＜0.7V(硅管)。此时，发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。截止区：iC接近零的区域，相当iB=0的曲线的下方。此时， vBE小于死区电压，发射结反偏，集电结反偏。放大区：iC平行于vCE轴的区域，曲线基本平行等距。此时，发射结正偏，集电结反偏。第16页/共63页的特性曲线2. 输出特性曲线iC=f(vCE)? iB=const输出特性曲线的三个区域:各态偏置情况：截止放大饱和发射结反偏正偏正偏集电结反偏反偏正偏 (1)共发射极直流电流放大系数 =（IC－ICEO）/IB≈IC / IB ? vCE=const第17页/共63页的主要参数1.