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理学院应用物理系专业实验指导书 实验七 四探针测试半导体薄膜的电阻率 SZT — 1 型数字式四探针测试仪是运用四探针测量原理的多用途综合测量装置，可以测 量棒状、块状半导体材料的径向和轴向电阻率， 片状半导体材料的电阻率和扩散层方块电阻， 换上特制的四端子测试夹还可以对低、中值电阻进行测量。 仪器由集成电路和晶体管电路混合组成，具有测量精度高、灵敏度高、稳定性好，测量 范围广，结构紧凑，使用方便的特点，测量结果由数字直接显示。仪器探头采用宝石导向轴 套，与高耐磨合金探针组成具有定位准确，游移率小，寿命长的特点。本仪器适合于对半导 体、金属、绝缘体材料的电阻性能测试。 一、实验目的 （1）了解四探针电阻率测试仪的基本原理； （2 ）了解的四探针电阻率测试仪组成、原理和使用方法； （3）能对给定的物质进行实验，并对实验结果进行分析、处理。 二、实验原理 测试原理：直流四探针法测试原理简介如下： 1．体电阻率测量： 当 1、2、3 、4 根金属探针排成直线时，并以一定的压力压在半导体材料上在 1、4 两处 探针间通过电流 I，则 2、3 探针间产生电位差 V 。材料的电阻率 如下（ 6.1 ）式： （ .cm ） （6.1 ） 式中 C 为探针系数，由探针几何位置决定。 图 6.1 四 探 针 测 量 原 理 图 当试样电阻率分布均匀，试样尺寸满足半无限大条件时， 51 理学院应用物理系专业实验指导书 （cm ） （6.2 ） 式中： 、 、 分别为探针 1 与 2，2 与 3 ，3 与 4 之间的间距，当 = = =1 mm 时， C=2π。若电流取 I = C 时，则 ρ= V 可由数字电压表直接读出。 （1）块状和棒状样品体电阻率测量 由于块状和棒状样品外形尺寸也探针间距比较， 合乎与半无限大的边界条件， 电阻率值 可以直接由（ 1），（ 2 ）式求出。 （2 ）薄片电阻率测量 薄片样品因为其厚度与探针间距比较， 不能忽略， 测量时要提供样品的厚度形状和测量 位的修正系数。 电阻率可由下面公式得出： （6.3 ） 式中： —— 为块形体电阻率测量值 —— 为样品厚度与探针间距的修正函数，可由相关表格查得 —— 为样品形状和测量位置的修正函数。 当圆形硅片的厚度满足 W/S0.5 时，电阻率为： （6.4 ） 2 ． 扩散层的方块电阻测量： 当半导体薄层尺寸满足于半无限大平面条件时： （6.5 ） 若取 I =4.53 ，则 R 值可由 V 表中直接读出。 52 理学院应用物理系专业实验指导书 三、实验仪器与设备 数字式四探针测试仪如图 6.2 所示。仪器分为电气部分、测试架两大部分，可以根据 测试需要安放在一般工作台或者专用工作台上。 1、电气部分