CdS纳米薄膜的水浴法制备与表征参考.pdfVIP

CdS 纳米薄膜的水浴法制备与表征 -真空电子技术 王建波 ,娄朝刚 ,张晓兵 ,雷 威 (东南大学电子工程系 ,江苏 南京 210096) CdS 膜 (80 nm 左右 ) 纤锌矿结构 直接带隙材料 带隙为 2142 eV, 作为 n 型半导体 化学水浴法制备的 CdS 薄膜保证其完整和致密。 玻璃片 (15mm@25 mm@0155 mm)依次在稀硫酸溶液、丙酮、乙醇和 去离子水中超声清洗 10 min。 为分析纯试剂 ,采用二次去离子水配制 , [CdSO4]=0.01mol,[(NH2)2CS]=0.1 mol, [NH3H2O]=1 mol 。 沉积时水浴温度控制在 60 C,溶液的 pH 值在 8~9 之间 ,沉积时间 15 min 。 CdS 膜的生成原理及化学 反应过程可描述为 : (1)在碱性水溶液中 ,若 Cd2+,OH-浓度超过 Cd(OH)2 的溶解度时 ,则有 Cd(OH)2 析出 ; (2)在氨水环境下 ,水解的 Cd(OH