医用传感器专题知识.ppt

医用传感器专题知识;（一）霍尔效应;静电场对电子作用力为FE与洛仑兹力方向相反, 将阻止电子继续偏转, 其大小为;RH则被定义为霍尔传感器霍尔系数; KH为霍尔元件灵敏度。;霍尔元件 ;（二）霍尔元件电磁特征;　② UH -B 特征当控制电流一定时, 霍尔元件开路输出随磁感应强度增加并不是完全成线性关系, 只有当B小于 0.5T 时, UH –B 线性度才比很好。 ; ③ R -B 特征R -B特征是指霍尔元件输入（或输出）电阻与磁场之间关系, 霍尔元件内阻随磁场绝对值增加而增大, 这种现象称磁阻效应。 ;(二)霍尔元件误差和赔偿; 除工艺上尽可能使霍尔电极对称来降低U0, 还需采取赔偿电路加以赔偿。下图给出多个常见赔偿方法。通常在某一桥臂上并上一定电阻而将U0降到最小, 甚至为零。;2、寄生直流电势 当霍尔元件通以交流控制电流而不加外磁场时, 霍尔输出除了交流不等位电势外, 还有一直流电势分量, 称寄生直流电势。 3、感应零电势 霍尔元件在交流或脉动磁场中工作时, 即使不加控制电流, 霍尔端也会有输出, 这个输出就是感应零电势。它是因为霍尔电极引线部署不合理而造成。 4、自激场零电势 当霍尔元件通以控制电流时, 此电流也会产生磁场, 该磁场称为自激场。;(二)霍尔元件温度误差及其赔偿;t0 时;(2)利用输出回路负载进行赔偿 右图是输出赔偿基础线路。输出电阻及霍尔电压与温度之间关系为;霍尔位移传感器; 当载流导体置于磁场中, 其电阻会随磁场而改变, 这种现象称为磁阻效应。;电阻率相对改变;磁阻元件关键特征;2. 电阻 — 温度特征;磁敏二极管P型和N型电极由高阻材料制成, 在P、N之间有一个较长本征区I。本征区I一面磨成光滑无复合表面（I区）, 另一面打毛, 设置成高复合区（r区)。;当磁敏二极管末受到外界磁场作用时, 外加正向偏压后, 则有大量空穴从P区经过I区进入N区, 同时也有大量电子注入P区, 形成电流。只有少许电子和空穴在I区复合掉。;当磁敏二极管受到外界正向磁场作用时, 则电子和空穴受到洛仑兹力作用而向r区偏转, 因为r区电子和空穴复合速度比光滑面I区快, 所以, 形成电流因复合而减小, 电阻增大。;当磁敏二极管受到外界反向磁场作用时, 电子和空穴受到洛仑兹力作用而向r区对面偏移, 因为电子和空穴复合率显著变小, 所以, 电流变大, 电阻减小。 ;利用磁敏二极管在磁场强度改变下, 其电流发生改变, 于是就实现磁电转换。; （三）磁敏二极管关键特征;2.伏安特征: 磁敏二极管正向偏压和经过其电流关系。 不一样磁场强度H作用下, 磁敏二极管伏安特征不一样 当所加偏压一定时, 磁场按正方向增加时, 二极管电阻增加, 电流减小。 在同一磁场下, 电流越大, 输出电压越大。;3.温度特征: 在标准测试条件下, 输出电压改变量随温度改变。 温度升高时, 电流急增, 电压降低, 磁灵敏度下降, 须采取温度赔偿。;温度赔偿电路;采取两支性能靠近磁敏二极管, 按相反磁极性组合, 立即它们磁敏面相对或背向放置, 温度不管怎样改变, 两管分压比不会发生改变, 输出电压则不随温度改变。 同时因为两管互补, 当磁场改变时, 输出电压改变量增加, 能提升灵敏度。;不仅能很好实现温度赔偿, 提升灵敏度。 电路如不平衡, 能够合适调整桥臂电阻大小。;采取两个互补电路并联方法实现, 温度特征、对称性、灵敏度都好, 不过需要寻求4个性能相近磁敏二极管。;1. 磁敏三极管结构与工作原理;当磁敏三极管末受磁场作用时, 因为基区宽度大于载流子有效扩散长度, 大部分载流子经过e-I-b形成基极电流, 少数载流子输入 到c极。所以形成基 极电流大于集电极 电流情况, 使β＜l。; 当受到正向磁场(H+)作用时, 因为磁场作用, 洛仑兹力使载流子偏向发射结一侧, 造成集电极电流显著下降, 当反向磁场(H-)作用时, 在H-作用下, 载流子向集电极一侧偏转, 使集电汲电流增大。;图7-25 磁敏三极管工作原理;与一般晶体管伏安特征曲线类似。由图可知, 磁敏三极管电流放大倍数小于1。;(2) 磁电特征;(3) 温度特征及其赔偿;具体赔偿电路如图所表示。 当温度升高时, V1管集 电极电流IC增加．造成 Vm管集电极电流也增 加, 从而赔偿了Vm管因 温度升高而造成IC 下降。;利用锗磁敏二极管电流随温度升高而增加特征, 使其作为硅磁敏三极管负载, 从而当温度升高时, 可赔偿硅磁敏三极管负温度漂移系数所引发电流下降。;下图是采取两只特征一致、磁极相反磁敏三极管组成差动电路。这种电路既能够提升磁灵敏度, 又能实现温度赔偿, 它是一个行之有效温度赔偿电路。;;霍尔元