激光技术第四章.pptxVIP

1;半导体激光器的发明与发展;随着半导体激光器性能的不断改进，新的半导体激光材料将激光的波段范围的拓宽，半导体激光器在许多方面得到应用。最早进入实用的是波长为。70年代末，在和1.55 um得到损耗更小的单模光纤,长波长InGaAsP/InP系激光器也达到实用化。　 可见光半导体激光器受光信息处理技术的需求推动，也在70年代开始开发。量子阱技术使半导体激光器产生新的飞跃。随着分子束外延（MBE）和金属有机化合物化学气相淀积（MOCVD）技术的日渐成熟，可以生长出原子尺寸的薄层，使注入的载流子呈现量子效应，这种量子阱激光器与以前的体材料激光器相比，具有更优越的特性，如：阈值电流密度低、电光转换效率高、输出功率大等。并且，通过生长应变量子阱，使得生长非晶格匹配的外延材料得以实现，拓宽了激光器波长范围。量子阱技术的发展，推动了大功率半导体激光器的发展;;热激发过程;载流子的统计分布;Fermi分布函数的图象;本征半导体中的载流子密度;n型半导体中的载流子浓度;p型半导体中的载流子浓度;P－N结的形成;直接禁带和间接禁带半导体;半导体的受激发射条件 1、粒子数反转 2、谐振腔存在，且腔内增益大于损耗 在导带和价带中能级被电子占有的几率服从费米分布： ?c(E)=1/1+e（E-(EF)n）/KT ?v(E)=1/1+e（(E-h?)-(EF)p）/KT (EF)n为电子准费米能级 (EF)p为空穴准费米能级 可得到粒子数反转条件为 （EF)n-(EF)p h? ;半导体激光器工作原理;F-P腔半导体激光器工作原里;半导体激光器的阈值条件 G = ? +（1/2L）ln1/R1R2 G为增益系数， ?损耗系数，R1R2 为腔的两个端面的反射系数。 G = Nc(E)Nv(E-h?)[?c(E)-?v(E-h?)]Bcv h?g(?)n/c 半导体激光器的阈值性质 1、阈值电流极其测定 2、激光器的阈值与温度相关 3 - Temperature Effects on Laser Optical Output Power ;2、半导体激光器的基本结构;异质结砷化镓激光器;半导体激光器的典型结构;双异质结激光器工作原理;多层对称介质波导;半导体激光器的波导结构;半导体激光器的波导结构;增益波导;量子阱;多量子阱和超晶格;半导体激光器的模式;半导体激光器模式与条宽 ;[技术难点]　 1、薄膜材料的制备：多层薄膜的制备，薄膜组份的控制。　 2、结构外延材料的生长：量子阱或多量子阱结构材料的外延生长是高性能器件的关键。　 3、器件工艺：作为器件基本工艺的平面工艺仍是难点之一，包括介质膜，钝化，欧姆接触，微细加工等。　 [;半导体激光器的制作设备和条件;MOCVD;第31页/共94页;;应变自组装量子点AFM照片;第34页/共94页;Pulsed Laser Deposition (PLD);半导体材料的激射波段分布图;转换效率高 体积小 寿命长，可达数十万小时 输出波长范围广 易调制；直接调制或电吸收 发散角大，方向性不好 ;4、几种典型的半导体激光器;;FP腔半导体激光器的光谱;多量子阱器件的典型特性曲线;DFB激光器;;额定极限值(ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS) ;典型半导体激光器管芯和热沉的实际尺寸;;电吸收调制器集成多量子阱DFB激光器;DFB激光器的光谱;三区可变波长DBR激光器;单纵摸输出 阈值低?1mA 可高速调制 输出光斑对称 光纤耦合效率高 可做成阵列;面发光与边缘发光激光器;;;Figure 1: ?Future optical network scenario ;5、半导体激光器的耦合封装;;Figure 3: ? Far field of an optical fiber in comparison to the field of a laser diode The far-field angle of the fiber is defined to a small value of 11.5°. A typical laser diode shows different values for lateral and vertical axes of 20-to-30° and 30-to-40°, respectively. ;半导体激光器到单模光纤的耦合效率;;1、球面镜耦合同轴封装;;光纤透镜直接耦合封装;Figure 6: ? X and Y-axis: 2μm tolerance for 0.5 dB additional coupling loss ;;;;球面镜导致波前畸变;激光焊接;Figure 11: ?(a) Standardized optoele