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光电成像原理 第一页，共32页 空间任一点电位： 一、轴对称场的幂级数表示形式： 任何静电场均满足拉普拉斯方程： 轴对称场： 第二页，共32页 电位可展开为幂级数，且只存在偶次幂项： 已知轴上电位分布，可唯一地完全决定空间电位分布。 ——轴上电位分布 谢尔赤（Scherzer）公式 第三页，共32页 近轴情况： 二、近轴区电场对电子的作用力： 电场对电子在两个方向上的作用力： 场强分量： 第四页，共32页 电子轴向受力分析 电子所受轴向力 的与 成正比，与 无关： ：电子在 方向被加速； ：电子在 方向被减速； 电子径向受力分析 电子所受径向力 的大小与 及 成正比； 受力方向由 的符号决定： ：为无场空间，电子匀速漂移。 径向力方向指向对称轴，电子受到会聚作用； : 径向力方向背离对称轴，电子受到发散作用。 : 第五页，共32页 三、旋转对称静电磁场的聚焦成像性能 电子运动的近轴（高斯）轨迹方程： 性质 1. 若轴上电位分布 已知，就可求得整个近轴空间的轨迹。 高斯光学：研究高斯轨迹理想成像规律的理论。 高斯光学理想成像性质: 1. 从物平面上发出的所有电子，通过场的作用， 能够在像平面上会聚于相应的像点上。 2. 不含荷质比，由零电位的同一点发出的电子，不 论其质量与电量如何，在近轴场内轨迹相同。 2. 像和物的几何形状相似，也就是 说各点的横向放大率与物高无关。 第六页，共32页 高斯轨迹理想成像的证明： 其通解: 初始条件： 离对称轴单位距离的平行入射的电子轨迹 轴上发出与轴成 角入射的电子轨迹 电子近轴轨迹的表达式: 第七页，共32页 若 则 时 由轴上点 发出的所有电子，不论其初始斜率 如何，都将会聚在轴上 处。 1. 轴上点的理想聚焦成像： 第八页，共32页 2. 轴外点的理想聚焦成像： 由物平面上轴外同一物点 发出的电子，不论其初始斜率如何，都会聚在同一点 第九页，共32页 像点坐标： 高斯像面，是物平面 的共轭像面。 平面： ——电子光学系统的横向放大率 第十页，共32页 第十一页，共32页 §5.4 电子透镜 电子透镜：能使电子流聚焦成像的电子光学系统。 单透镜 膜孔透镜 浸没透镜 阴极透镜 根据轴上电位分布情况 电子透镜场空间的划分： 物空间 像空间 透镜空间：电子轨迹在场的 作用下连续改变。 物空间和像空间：电位不变 （等位空间） 透镜空间 电子透镜 静电透镜 磁透镜 复合透镜 第十二页，共32页 一、单透镜 1. 单透镜轴上电位分布： 透镜两旁的电位为常数，且数值相等。 类似于单个光学会聚透镜 2. 单透镜的电极结构： 由三个电极组成，两边电极电位相同 第十三页，共32页 3. 单透镜的聚焦特性： （1） 会聚作用占优势 速度大 速度大 速度小 发散 会聚 发散 第十四页，共32页 单透镜是会聚透镜。 （2） 会聚作用占优势 速度小 速度小 速度大 会聚 发散 会聚 第十五页，共32页 二、浸没透镜 1. 浸没透镜轴上电位分布： 透镜两旁电位为常数但数值不同 类似于光学中浸没透镜 2. 浸没透镜的电极结构： 两个（或两个以上）同轴圆筒（或膜片）组成 第十六页，共32页 3. 浸没透镜聚焦特性分析： （1） 会聚作用占优势 速度小 速度大 会聚 发散 第十七页，共32页 （2） 浸没透镜是会聚透镜 浸没透镜对电子束不仅起聚焦作用，还可以起加速或减速作用。 会聚作用占优势 速度大 速度小 发散 会聚 第十八页，共32页 三、膜孔透镜 1. 膜孔透镜轴上电位分布： 2. 浸没透镜的电极结构： 将一个带孔的膜片插入平板电容器中间 透镜两旁电位不是常数，随 变化 第十九页，共32页 3. 膜孔透镜聚焦特性分析： 会聚透镜 （1） 发散透镜 （2） 浸没透镜可以是会聚的，也可以是发散的 第二十页，共32页 四、阴极透镜（浸没物镜） 1. 阴极透镜轴上电位分布： 透镜场为加速电场，阴极浸没场中 透镜在阴极表面建立加速电场，电子一离开阴极就受到场的作用。 透镜的加速电场直接和物毗连（一般以阴极作为物），即物浸没在透镜电场内。 第二十一页，共32页 2. 阴极透镜的电极结构 一般由阴极、调制极膜片、阳极膜片组成 阴极：发射电子 调制极：控制电子发射 可正可负（一般为负） 阳极：加速电子 第二十二页，共32页 3. 阴极透镜聚焦特性分析： 大部分区域