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2.应用新技术和新的物理效应，扩大检测领域（续） “惠更斯”号登陆土卫六的效果图 土卫六表面 第三十页，共67页 2.应用新技术和新的物理效应，扩大检测领域（续） 安全检查 第三十一页，共67页 3.发展集成化、功能化的传感器 可拍照 的手机 第三十二页，共67页 4.采用计算机技术，使检测技术智能化 面部 识别技术 第三十三页，共67页 4.采用计算机技术，使检测技术智能化（续） 单片机芯片 第三十四页，共67页 5.发展网络化传感器及检测系统 第三十五页，共67页 第四节 半导体物理基础一、定义 导体 半导体 绝缘体 10－6 ??cm 10－3 1012 以电阻率界限定义 铜，银等 硅，锗等 硫化镉 云母，琥珀 第三十六页，共67页 二、半导体特性 1、电阻温度系数一般都是负的，对温度的变化十分敏感； 2、导电性能可受极微量杂质的影响而发生十分显著的变化； 3、导电能力及性质会受热、光、电、磁等外界总有的影响而发生非常重要的变化。 纯硅在室温下的电导率为5×10－6?－1?cm-1，当掺入硅原子数的百万分之一的杂质时，电导率却上升至2?-1?cm-1，几乎增加了一百万倍。 沉积在绝缘板上的硫化镉层不受光照时的阻抗可高达几十甚至几百兆欧，但一旦受到光照，电阻就会下降到几十千欧。 第三十七页，共67页 三、能带理论 1、电子运动的三个特点： 1）具有稳定的运动状态（量子态），每一个量子态所确定的能量称为能级。越外层能量越高； 2）严格讲原子中没有完全确定的轨道； 3）泡利不相容原理：每一个能级中，最多容纳两个自旋方向相反的电子。 第三十八页，共67页 1）原子以一定的周期重复排列所构成的物体称为晶体； 2）晶体中的不同原子的电子轨道发生不同程度的交迭，使原来隶属于某一原子的电子，不再是此原子私有，而是在整个晶体中运动，成为整个晶体所共有，这种现象称作电子的共有化； 3）电子的共有化只发生在能量相同的量子态之间。 2、电子的共有化运动（Flash演示） 第三十九页，共67页 1)能量区域中密集的能级形象称为能带； 2）能量最高的价电子填满的能带称为价带； 3）能量最低的能带为导带，中间为禁带； 4）绝缘体、半导体、导体的能带情况。（见电子版22页） 3、晶体中电子的能带（Flash演示） 第四十页，共67页 四、载流子的运动 1、几个概念 （1）本征半导体：完全纯净＆结构完整的半导体。 （2）本征激发：电子由价带直接激发跃迁到导带。 （3）N型半导体＆P型半导体：主要由电子导电的半导体称为？？？ （4）空穴：价带中的电子空位。 第四十一页，共67页 （5）载流子：电子＆空穴都能导电，我们通称他们为载流子。在N型半导体中，一般把电子称为多数载流子，而在P型半导体中，空穴自然称为多数载流子； （6）在晶体中掺杂的杂质，如杂质本身为正电中心，施予电子，我们称之为施主杂质，而被束缚于施主上的电子的能量状态称为施主能级；如杂质本身是负电中心，接受电子，我们称之为受主杂质，受主的空能量状态称为受主能级。 第四十二页，共67页 2、热平衡载流子 （1）费米能级EF 其中， (电子占据某一能量状态E的几率) E=EF时， ＝1/2 EEF时， 1/2 EEF时， 1/2 玻耳兹曼常数 第四十三页，共67页 （2）半导体中的费米能级(EF＝(E-+E+)/2) EFD ED EA EFA 导带 价带 E- EF E+ 本征半导体 N型半导体 P型半导体 施主能级 受主能级 禁带宽度Eg＝E - - E+ 导带底 价带顶 第四十四页，共67页 3、非平衡载流子 （1）定义： 在外界作用下，电子＆空穴的产生率大于复合率，导致载流子数目增加，这种增加的电子＆空穴称为非平衡载流子。 （2）寿命：复合率=Δn/ζ，式中,，ζ为常数，称为非平衡载流子的寿命。其物理意义：（1）标志着非平衡载流子复合的快慢；（2）非平衡载流子的浓度衰减到原来的1/e所需的时间；（3）非平衡载流子的平均存在时间。 （3）复合：（1）直接复合：导带电子直接落在价带空穴的位置上而与空穴结合失去其自由态的过程。（2）间接复合：导带电子通过复合中心（由于半导体中晶体结构的不完整性和杂质的存在，在禁带内存在一些深能级，这些能级能俘获自由电子与自由空穴，从而使它们复合，这种深能级称为复合中心）与价带上的空穴复合。 （4）陷阱效应：杂质能级积累非平衡载流子的作用。 第四十五页，共67页 五、载流子的运动（Flash演示） 六、半导体对光的吸收 1、本征吸收：由于光子的作用使电子由价带跃迁到导带引起的吸收（本征激发所对应