光电导探测器.pptVIP

例：锑化铟（InSb）PC探测器（77K）的恒流偏置电路 第六十一页，共90页 2.恒压偏置 分析：探测器上的电压近似等于VB，与Rd无关，基本恒定，与光辐射变化无关。但流过探测器的偏流不恒定，随Rd变化。 特点：输出信号电压不受探测器电阻Rd的影响! 第六十二页，共90页 例：硫化铅（PbS）PC探测器的恒压偏置 课本p276图4.14 课本p276图4.13 第六十三页，共90页 2. 噪声对偏流的影响 第二十九页，共90页 四.伏安特性 加在光敏电阻两端的电压U与流过它的电流Ip的关系曲线，并称其为光敏电阻的伏安特性。 典型CdS光敏电阻的伏安特性曲线 图中的虚线为额定功耗线。使用光敏电阻时，应使电阻的实际功耗不超过额定值。从图上来说，就是不能使静态工作点居于虚线以内的区域。按这一要求在设计负载电阻时，应不使负载线与额定功耗线相交。 第三十页，共90页 五、光电特性和?值 光电特性：光电流与入射光通量（照度）的关系 1. 弱光照射时：光电流与光通量（照度）成正比，即保持线性关系 式中gp称为光敏电阻的光电导, Sg为单位电场下的光电导灵敏度， E为光敏电阻的照度。 第三十一页，共90页 2. 强光照射时， 光电流与光通量（照度）成非线性。 γ为光电转换因子，是一个随光度量变化的指数 γ与材料和入射光强弱有关，对于硫化镉光电导体，在弱光照下γ＝1，在强光照下γ＝1/2，一般γ＝0.5～1。在通常的照度范围内(10-1~104lx)，?的值接近于1 第三十二页，共90页 如图所示的特性曲线反应了流过光敏电阻的电流Ip与入射光照度E间的变化关系，由图可见它是由直线性渐变到非线性的。 第三十三页，共90页 电阻～照度关系曲线 在实际使用时，常常将光敏电阻的光电特性曲线改用如图所示的两种坐标框架特性曲线。其中(a)为线性直角坐标系中光敏电阻的阻值R与入射照度EV的关系曲线，而(b)为对数直角坐标系下的阻值R与入射照度EV的关系曲线。 γ值为对数坐标下特性曲线的斜率。R1与R2分别是照度为E1和E2时光敏电阻的阻值。 第三十四页，共90页 六、前历效应 前历效应是指光敏电阻的时间特性与工作前“历史”有关的一种现象。前历效应有暗态前历与亮态前历之分。 暗态前历效应：是指光敏电阻测试或工作前处于暗态，当它突然受到光照后表现为暗态。前历越长，光电流上升越慢。 其效应曲线如下图所示。一般，工作电压越低，光照度越低，则暗态前历效应就越重。 第三十五页，共90页 硫化镉光敏电阻的暗态前历效应曲线 1-黑暗放置3分钟后? 2-黑暗放置60分钟后3-黑暗放置24小时后 第三十六页，共90页 亮态前历效应 指光敏电阻测试或工作前已处于亮态，当照度与工作时所要达到的照度不同时，所出现的一种滞后现象，其效应曲线如下图所示。一般，亮电阻由高照度状态变为低照度状态达到稳定值时所需的时间要比由低照度状态变为高照度状态时短。 硫化镉光敏电阻亮态前历效应曲线 第三十七页，共90页 七、温度特性 光敏电阻的温度特性很复杂，在一定的照度下，亮电阻的温度系数α（有正有负） R1、R2分别为与温度T1、T2相对应的亮电阻。 光敏电阻在某一光照下的阻值，称为该光照下的亮电阻。 第三十八页，共90页 右图所示为典型CdS（实线）与CdSe（虚线）光敏电阻在不同照度下的温度特性曲线。可以看出这两种光敏电阻的相对光电导率随温度的升高而下降，亮电阻变大。 I / μA 100 150 200 -50 -10 30 50 10 -30 T / oC 硫化镉的光电流I和温度T的关系 温度升高，亮电阻变大，电流变小 第三十九页，共90页 温度对光谱响应也有影响。随着温度的升高，其暗电阻和灵敏度下降，光谱特性曲线的峰值向波长短的方向移动。硫化镉的光电流I和温度T的关系如图所示。有时为了提高灵敏度，或为了能够接收较长波段的辐射，将元件降温使用。例如，可利用制冷器使光敏电阻的温度降低。 20 40 60 80 100 0 1.0 2.0 3.0 4.0 λ/μm I/mA +20 oC -20 oC 温度改变光谱响应 第四十页，共90页 一般n型半导体的EF位于Ei之上Ec之下的禁带中。 EF既与温度有关，也与杂质浓度ND有关： 一定温度下掺杂浓度越高，费米能级EF距导带底Ec越近； 如果掺杂一定，温度越高EF距Ec越远，也就是越趋向Ei。 Si中不同掺杂浓度条件下费米能级与温度的关系 第四十一页，共90页 八. 响应时间和频率响应 光敏电阻的响应时间（又称为惯性）比其他光