ZnO基透明导电薄膜的制备工艺与性能研究.pdfVIP

ZnO基透明导电薄膜的制备工艺与性能研究.pdf

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摘 要 透明导电薄膜的应用遍及太阳能电池、透明薄膜晶体管和平面液晶显示器等领 域,其中ZnO 基透明导电薄膜光电特性优良,便于获取原料,无毒低价,在光电领 域更是有着诸多实际和潜在的应用。由于ZnO 基薄膜制备的方式和工艺对薄膜的光 电性能有着十分重要的影响,因此本文研究内容有: (1)采用溶胶-凝胶法制备AZO 薄膜,研究退火温度、退火气氛对AZO 薄膜 光电性能的影响。在550℃以上的退火温度中,所制备的AZO 薄膜样品表面致密均 匀,经过650℃温度退火的AZO 薄膜,其在400nm-900nm 区域的光学平均透过率 超过85%,同时具有良好的紫外截止性能。随着退火温度的升高,衍射角在34 °附 近的 (002 )峰峰位逐渐增强,平均晶粒尺寸随之增大,样品的缺陷减少。在氮气 氛围中退火的 AZO 薄膜样品比在空气中退火的薄膜样品具有更好的结晶性能,薄 膜样品在可见光区域内的透过率比在空气中退火的薄膜样品有所提高,薄膜的光致 发光强度也明显增强,且在2.68eV 位置有明显的蓝光发光带,在2.97eV 位置也有 较为明显的蓝光发光带。薄膜的禁带宽度在氮气氛围退火后,有逐渐减小的趋向。 (2 )采用磁控溅射法制备WZO 薄膜,研究了一般磁控溅射法和调制掺杂磁控 溅射方法中不同的溅射气压对WZO 薄膜光电性能的影响。 采用一般磁控溅射法在石英薄膜衬底上沉积了WZO 薄膜。不同溅射气压条件 下制备的WZO 薄膜,在适当的溅射气压条件下,W 能有效地替位Zn 进行掺杂, 也改善了WZO 薄膜的电学性能。但由于高浓度的载流子会对光子产生有效的复合 吸收,这导致W 掺杂的ZnO 透明导电薄膜在 1000~2500nm 区域的红外波段的透过 率明显下降。溅射气压分别在0.5Pa,1.0Pa,1.2Pa,1.4Pa 制备的WZO 薄膜样品中, -3 -3 薄膜的最高电阻率6.810 Ωcm,最低为3.9710 Ωcm 。随着溅射气压的增加,溅 射粒子的平均自由程减小,W 的掺杂效应由弱增强再减弱,所制备的薄膜样品的结 晶取由34 °附近的 (002 )转向36.35 °附近的 (101),后又转向(002 )位置。溅 射气压为1.2Pa 的薄膜,其平均光学透过率在500nm~1000nm 光谱区域可达85% 以 上,此时的薄膜电阻率最低,其值为3.9×10-3Ωcm 。 调制掺杂磁控溅射方法中,通过控制两个溅射阶段气压变化,可控制 W 掺杂 效果和薄膜质量,影响薄膜的载流子浓度和迁移率,进而影响了薄膜的电学性能和 近红外光透过率。制备的WZO 薄膜均具有明显的(002 )和(101)衍射峰,随着 第一阶段溅射气压的增加,样品的结晶取向呈现先由(002 )向(101)转变,然后 再由(101)向(002 )转变。且在第一阶段溅射气压较低的情况下,有利于样品表 面 “类陨石坑”状绒面出现。所制备薄膜的最低电阻率为4.83 ×10-3Ω·cm 。 关键词:ZnO 基薄膜 溶胶-凝胶法 磁控溅射法 光电性能 掺杂 I 目录 摘 要 I Abstract II 目录 IV 第一章 绪论 1 1.1 透明导电氧化物薄膜概述 1 1.2 氧化锌的结构与性质 2 1.2.1 ZnO 的基本性质 2 1.2.2 ZnO 的结构特性 2 1.2.3 ZnO 的光电性质 3 1.3 ZnO 透明导电薄膜在太阳能电池中的应用 4 1.3.1 太阳能电池的原理 4 1.3.2 ZnO 透明导电薄膜在太阳能电池中的应用 5 1.4 本论文的选题依据和研究内容 5 第二章 ZnO 透明导电薄膜的制备方法和测试方法 7 2.1 ZnO 透明导电薄膜的制备方法 7 2.1.1 溶胶-凝胶法(sol-gel) 7 2.1.2 磁控溅射法 8 2.2 ZnO 透明导电薄膜的测试分析方法 9 2.2.1 X 射线衍射( XRD ) 9 2.2.2 扫描电子显微镜( SEM ) 11 2.2.3 紫外-可见-近红外(

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