KNN基无铅压电陶瓷的制备与掺杂改性研究.pdfVIP

摘 要 铅基压电陶瓷如 PbZr Ti O (PZT)、(1-x)Pb(Mg Nb )O -xPbTiO (PMN-PT) 1-x x 3 1/3 2/3 3 3 等由于具有优异的压电性能而被广泛应用，但铅的毒性使其对环境势必造成严重的 危害，因此开发环境友好型无铅压电陶瓷材料已成必然趋势。铌酸钾钠 (K Na NbO ，KNN)基无铅压电陶瓷因其优异的电性能、较高的居里温度和适中 0.5 0.5 3 的介电常数，优越的环境协调性被认为是取代铅基压电陶瓷最有前景的体系之一。 本文分别采用A 位掺杂、B 位掺杂和第二组元掺杂的方式对KNN 基陶瓷进行改性， 研究了掺杂改性对陶瓷相结构和电性能的影响规律。 首先，本文采用固相法制备了(1-x)(K Na )(Nb Ta )O –xBi Na ZrO 0.49 0.51 0.97 0.03 3 0.5 0.5 3 (KNNT–BNZ, x=0.00~0.05)无铅压电陶瓷，研究了Bi0.5Na0.5ZrO3 (BNZ)的掺杂量对 KNNT–BNZ 陶瓷相结构、微观结构和电性能的影响规律。X 射线衍射(X-ray Diffraction ，XRD)分析结果表明：KNNT–BNZ 陶瓷具有纯的钙钛矿结构，随着BNZ 掺杂量x 的增加，陶瓷从正交相转变为四方相，并在0.03≤x≤0.04 出现正交– 四方两 相共存的多型相转变(Polymorphic Phase Transition, PPT)区域。在该PPT 区域靠近四 方相的边界x=0.04 处，陶瓷具有优异的电性能：压电常数d33=317 pC/N ，机电耦合 系数k =36.4%，机械品质因数Q =68 ，介电常数εT /ε =1225 ，介电损耗tanδ=3.1% ， p m 33 0 2 剩余极化强度P =20.5 µC/cm ，矫顽场E =1.16 kV/mm ，居里温度T =310 ℃。 r c c 其次，在0.96(K Na )(Nb Ta )O –0.04Bi Na ZrO 的基础上进行A 位掺 0.49 0.51 0.97 0.03 3 0.5 0.5 3 杂 Li 。采用固相法制备了 0.96(K Na Li )(Nb Ta )O –0.04Bi Na ZrO 0.49 0.51–x x 0.97 0.03 3 0.5 0.5 3 (0.96KNNTL –0.04BNZ, x=0.00~0.04) 无铅压电陶瓷，研究了 Li 掺杂量对 x 0.96KNNTL –0.04BNZ 陶瓷相结构、微观形貌和电性能的影响。结果表明： x 0.96KNNTL –0.04BNZ 陶瓷为纯钙钛矿结构，随着Li 掺杂量x 的增加，陶瓷由正交 x – 四方两相共存逐渐转变为四方相。在x≤0.01 时，陶瓷为正交– 四方两相共存的多型 相转变结构；而当x≥0.02 时，陶瓷转变为四方相结构。在PPT 向四方相转变的组成 边界 x=0.02 处，陶瓷具有优异的电性能：压电常数 d33=335 pC