SiC低维纳米材料表面修饰及其场发射性能研究.pdfVIP

摘要 本文以具有优异场发射性能的SiC 阴极材料研发为目标，依据局域场增强效应、 增加发射点密度和降低功函数等原理，分别采用离子溅射法和气相沉积技术，实现 SiC 低维纳米材料的金属纳米颗粒表面修饰。论文工作系统评价了金属纳米颗粒修 饰前后SiC 低维纳米结构的场发射特性，研究了金属纳米颗粒修饰对SiC 场发射阴 极开启电场、阈值电场以及电子发射稳定性的影响及其机理，实现了具有优良场发 射性能的SiC 阴极材料研发。综合本论文工作，获得以下研究成果： 1. 采用催化剂辅助有机前驱体热解法，以聚硅氮烷(Polysilazane: PSN)为原料， 以N /Ar 混合气体为保护气氛，以碳纤维布为衬底，实现了具有N 元素掺杂的SiC 2 纳米线制备。研究结果表明，所制备的单晶 SiC 纳米线沿[111]方向生长，遵循气- 液-固（VLS ）生长机理。 2. 采用离子溅射技术，实现了SiC 纳米线的Au 纳米颗粒表面修饰，并通过控 制溅射时间，达到Au 纳米颗粒修饰密度的调控。研究结果表明，经Au 纳米颗粒 表面修饰的SiC 纳米线，其开启电场得到了大幅度降低。溅射时间为15 s 时，与未 修饰的SiC 纳米线相比，金纳米颗粒修饰的SiC 纳米线的开启电场从2.1 降至1.14 V/μm ，阈值电场从2.75 降低到1.75 V/μm ，场增强因子从1150 提高到至6624 。其 场发射性能的提高，主要归因于金纳米颗粒能够有效强化SiC 场发射阴极材料的局 域场增强效应，增加其电子发射点密度，并降低其功函数。 3. 采用气相沉积技术，实现了SiC 纳米线的Mg 纳米颗粒表面修饰。研究结果 表明，经Mg 纳米颗粒修饰的SiC 纳米线场发射阴极材料，与未经修饰的SiC 纳米 线相比，其电子发射稳定性得到了大幅度改善，电流发射的波动从14%降低至4% ， 主要归因于电子发射点密度增加和静电屏蔽效应的协同作用。 关键词：有机前驱体 高温热解 SiC 纳米线 表面修饰 场发射性能 I 目 录 摘要I Abstract II 1 绪论 1 1.1 场发射基本理论简介及应用 1 1.1.1 场发射理论 1 1.1.2 场发射影响因素 2 1.1.3 场发射性能测试及表征 3 1.1.4 场发射理论的应用 4 1.2 场发射阴极材料的研究进展 6 1.2.1 场发射阴极材料的研究概况 7 1.2.2 场发射阴极材料的基本特性 7 1.2.3 表面修饰低维纳米场发射阴极材料的研究进展 8 1.2.3.1 非金属修饰低维纳米场发射阴极材料研究进展 8 1.2.3.2 金属修饰低维纳米场发射阴极材料研究进展 12 1.3 SiC 场发射阴极材料研究进展 17 1.3.1 SiC 纳米材料基本特性简介 17 1.3.2 SiC 低维纳米场发射阴极材料研究进展 18 1.4 选题背景及其课题创新性 22 1.4.1 选题背景及意义 22 1.4.2 本课题的特色与创新之处 23 2 实验方法、研究内容及分析方法 24 2.1 实验方案 24 2.1.1 实验原料 24 2.1.2 实验设备 25 2.1.3 主要工艺 27 2.1.3.1 SiC 纳米线的合成工艺 27 2.1.3.2 金纳米颗粒修饰SiC 纳米线的制备工艺 27 2. 1.3.2 镁纳米颗粒修饰SiC 纳米线的主要工艺 27 2.2 研究内容 28 2.2.1 SiC 纳米线的制备及其场发射特性 28 2.2.2 金纳米颗粒修饰SiC 纳米线及其场发射特性 28 2.2.3 镁纳米颗粒修饰SiC 纳米线及其场发射特性 28 3 金纳米颗粒修饰SiC 纳米线的制备及其场发射性能特性 29 3.1