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晶体缺陷的存在对晶体的性质会产生明显的影响。实际晶体或多或少都有缺陷。适量的某些点缺陷的存在可以大大增强半导体材料的导电性和发光材料的发光性,起到有益的作用;而位错等缺陷的存在,会使材料易于断裂,比近于没有晶格缺陷的晶体的抗拉强度,降低至几十分之一。 晶体缺陷对性能的影响 作业 p54:10-18题 下周上课时由各班学习委员收齐后交给老师 能带之间的能量间隔叫做禁带,即电子不可能逾越的区域,例如电子不易从1s能带跃迁到2s能带。 1. 能带理论 1.金属晶体-金属键理论 在金属晶体中,电子占用或部分占用的价带与未被占用的导带相重叠,电子只需要很少的能量就可以向较高的能级跃迁,所有的能级是连续的和靠近的。因此金属有高导电性,高导热性和有金属光泽的外貌。 1. 能带理论 1.金属晶体-金属键理论 1. 能带理论 1.金属晶体-金属键理论 金属的结构特点 金属晶体中,晶格结点上排列着金属原子,晶格结点间以金属键相结合; 金属键没有方向性、饱和性,属晶体的结构可以看作等径圆球的密堆积; 金属晶体中金属原子的配位数高; 不同的金属单质,可能有不同的晶格类型,同种金属在不同的温度下,也可能发生晶格类型的转变。 1. 金属晶体-金属晶体 金属型晶体的晶格 体心立方 面心立方密堆积 六方密堆积 面心立方最密堆积 六方最密堆积 体心立方密堆积 体心立方晶胞 堆积情况 配位情况 堆积方式及性质小结 堆积方式 晶胞类型 空间利用率 配位数 实例 面心立方最密堆积 面心立方 74% 12 Cu、Ag、Au 六方最密堆积 六方 74% 12 Mg、Zn、Ti 体心立方密堆积 体心立方 68% 8(14) Na、K、Fe 金刚石型堆积 面心立方 34% 4 Sn 简单立方堆积 简单立方 52% 6 Po 2. 离子型晶体 (1)半径比规则 (2)几种简单的离子型晶体 (3)离子型晶体的特点 (4)离子型晶体的晶格能 由离子键形成的化合物叫做离子型化合物,离子型化合物主要以晶体状态出现,由正、负离子通过离子键结合成的晶体称为离子型晶体。离子键的强度可以用晶格能的大小来度量。 由于原子核外电子不是沿着固定的轨道运动,电子云没有明确的边界,因此原子或离子的半径无法严格确定。 当正、负离子间的吸引力和核外电子与电子之间以及原子核与原子核之间的排斥力达到平衡时,正、负离子之间保持着一定的平衡距离,这个距离叫核间距(nuclear separation),结晶学上以d 来表示。核间距可以用X 射线衍射的方法测得,由此可计算出离子或原子半径(作用范围)的大小。 正、负离子半径 与核间距的关系 . d =r1+ r2 . r1 r2 . (1)半径比规则 离子半径变化规律: ① 同族元素,自上而下,具有相同电荷数的离子的半径依次增大; Li+<Na+<K+<Rb+<Cs+ ; Fˉ<Clˉ<Brˉ<Iˉ ② 同一周期,自左向右,随正离子电荷数的依次增大,离子半径依次减小; Na+>Mg2+>Al3+ ③ 同一元素负离子半径大于原子半径,正离子半径小于原子半径,不同价态的正离子,半径随离子电荷升高而减小; Fe (117pm)>Fe2+(76pm)>Fe3+ (67pm) Fˉ(136pm)>F (64pm) (1)半径比规则 Li+ 60pm Mg2+ 65pm ④负离子的半径一般较大,约为130~250pm, 正离子半径一般较小,约为10~170pm; ⑤周期表中处于相邻族的左上方和右下方斜对角线上的 正离子半径近似相等; Na+ 95pm Ca2+ 99pm 离子半径变化规律: (1)半径比规则 以正、负离子配位数为6的晶体的一层为例 令r- = 1,则ac=4;ab=bc=2r+ + 2 因ab2+bc2=ac2?r+ =0.414;即r+/r- =0.414 (1)半径比规则 当r+/r- ?0.414时,负离子接触,正、负离子彼此不接触。体系的排斥力大于吸引力,该构型不稳定,趋向于形成配位数少的构型。 当r+/r- ?0.414时,负离子彼此不接触,正、负离子之间接触,此时,吸引力大于排斥力,该构型可以稳定存在。 当r+/r-? 0.732时,正离子表面可以接触更多的负离子,晶体的配位数增大。 r + / r - 0 . 4 1 4 r + / r - 0 . 4 1 4 (1)半径比规则 (2) 几种简单的离子型晶体 面心立方晶格,每个离子被 6个相反电荷的离子包围着,配位数为6。LiF、CsF、NaI等 属于NaCl型。 简单立方晶格,每
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