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PAGE PAGE 1 电隔离结构及其制备方法与流程 本发明涉及一种结构及其制备办法，尤其是一种电隔离结构及其制备办法。背景技术：纳米结构当其具有大深宽比时，在纳米结构的表面沉积大消光系数的金属薄层后，因为纳米结构的大深宽比，且笼罩了金属薄层之后的纳米结构具有了陷光效应，当金属薄层为特定贵金属时，甚至具有表面等离激元特性，因此，囫囵结构具有宽谱与高汲取特点，可被应用于mems光学器件中，详细的应用包括太阳能电池、红外传感器等。对于此类mems光学器件而言，当在其表面集成宽谱高汲取结构之后，因为纳米结构的特别性，无法再承受存有液体环境的工艺步骤，所述工艺包括光刻的显影液浸泡和金属腐蚀液浸泡等。而此类mems光学器件普通有两个金属电极，利用所述两个金属电极能用于电学信号的输出，一旦金属电极的表面也被笼罩上纳米结构，则将挺直影响器件封装时的金属引线，使器件无法顺当封装；另一方面，假如纳米结构仅仅被集成在光汲取区，两个电极之间极易由于金属薄层的沉积笼罩而形成电衔接，造成器件短路无法工作。图形化制备一维纳米结构的工艺办法包括电子束光刻、离子束刻蚀、飞秒激光等办法，此类办法属于串行工艺，耗时长且对尖端设备的依靠性高，不利于批量制备。而化学合成与气相生长相结合的办法存在工艺兼容性的问题，无法在cmos-mems工艺中用于纳米结构制备。因此，在制备宽谱高汲取的