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PAGE PAGE 1 电荷捕获型快闪存储器的编程方法与流程 [0001]本发明涉及存储器领域，特殊是涉及一种电荷捕捉型快闪存储器的编程办法。背景技术：[0002]在目前应用广泛的电子产品如mcu(micro control unit，微控制单元)、dsp(digital signal processor，数字信号处理器)、asic(application specific integrated circuit，专用集成电路)、pld(programmable logic device，可编程规律器件)等都会用到嵌入式闪存(embedded flash简称eflash)。与传统的eeprom计划相比，eflash具有读写速度快，面积小，功耗低等优点，已经在当前物联网(internet of thing，iot)、汽车电子等应用场景中发挥越来越大的作用。[0003]在嵌入式闪存解决计划中，主要有基于传统浮栅(floating gate)结构和电荷捕捉(charge trap)结构的计划。和传统导电的浮栅结构闪存不同，电荷捕捉型结构中采纳电荷“捕捉”机理，将电荷“俘获”(trap)在绝缘存储介质中。因为绝缘存储介质本身不导电，即使存在少量缺陷(defect)，存储的电子也不会流失，同等状况下比浮栅结构的闪存良率更高(浮栅由于本身导电，只要有缺陷