电荷耦合场效应晶体管嵌入的单片电荷耦合场效应整流器的制作方法.docxVIP

PAGE PAGE 1 电荷耦合场效应晶体管嵌入的单片电荷耦合场效应整流器的制作方法 电荷耦合场效应晶体管嵌入的单片电荷耦合场效应整流器1.相关申请的交错应用2.本技术要求2020年4月24日提交的美国暂时专利申请no.63/014,973的优先权，该申请的藏匿内容通过引用合并于此。技术领域3.本发明总体上涉及单片集成电路器件，并且特殊地涉及单片集成电路场效应晶体管器件。更特殊地，本发明考虑了嵌入在电荷耦合场效应晶体管中的单片电荷耦合场效应整流器器件(例如，二极管)的集成。电荷耦合场效应整流器器件的正向压降按照开关速度和效率的要求是工艺可调谐的，以满足广泛的应用。背景技术：4.参考图1，示出了功率金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)器件10的电路图。功率mosfet 10包括栅极g、源极s和漏极d。在该实施例中，功率mosfet 10是n沟道器件，并且因此源极s和漏极d由n型掺杂的半导体区域来形成，以及沟道(和本体b)由p型掺杂的半导体区域来形成。本体b被电系接到源极s。mosfet10的本体二极管d1由pn结来形成，pn结具有由本体b的p型掺杂区域形成的阳极和由漏极d的n型区域形成的阴极。5.在开关电路应用中，当功率mosfet 10被栅极控制为导通时，本体二极管d1处于反向模式。当功率mosfet 10随后关断时，本体二极管d1