热管理封装材料第四组.pptxVIP

1;摘要;科技的发展使得电子设备、系统进展迅速。然而，任何电子器件及电路在工作中都不可避免地会产生大量的热，要提高电子产品的性能及可靠性，就必须使产生的热量降低至最小。运用热力学原理提高整个系统或装置的能量利用率、 减少废热排散、 提高系统的稳定性和可靠性的相关技术， 通过分析和模拟来管理这些热量通常称为热管理。在需要热管理解决的众多问题中， 热管理材料应运而生。我们将针对热管理材料的研究进展及其相关性能进行论述 。;热管理材料的定义和性能要求;第4页/共35???;综上所述，高性能的热管理材料需要有与半导体或芯片材料匹配的热膨胀系数，高的热导率，具有一定硬度且气密性优异，从而实现提供机械支持、 与下一级封装互连、 形成密封环境及提供热量耗散途径的目的。;第6页/共35页;四个决定封装热阻的因素;每个因素对热阻的影响如下：;2.封装尺寸? 通常,?封装尺寸越大,?热阻就越低。尤其对于ABGA和TBGA非常正确,?它们拥有一个铜盖提供了出色的热传导特性。在较低热传导性的封装情况如FPBGA时,?热阻和封装尺寸之间的相关性较弱,?并且如果芯片尺寸相同的话,?不同尺寸的封装其热阻相差很小。;3.?芯片尺寸? 硅的热传导性,?芯片的制作材料,?大约是封入树脂的100倍,?是封装基板的10倍;?因此,?芯片本身的表面区域对散热作出了巨大的贡献。;4.?空气流通率? 空气流通率对封装本身的热传导性没有直接联系,?但是诸如通过采用风扇吹冷风的方法,?可以有效地带走封装表面或印刷线路版表面的热量从而降低了热阻。;第12页/共35页;;传统的热管理材料;半导体芯片材料及陶瓷封装材料;GaAs迁移率很高，在高频领域应用广泛。但是仅当电路尺寸非常小时GaAs才能获得最好的高频性能。一般微电子组件中使用的GaAs芯片厚度为 0.0508~0.1524mm。SiGe是通过将Ge作为掺杂剂选择性掺入晶体管基区的方法制备的。由SiGe制成的半导体高频性能可与GaAs相比，其热导率与 Si相近。SiC具有最大电子迁移速率，这允许器件在高频下工作。 ;SiC由于其带隙宽达 3.1eV (Si的带隙仅为 1.1eV)，温升很难破坏SiC半导体的性能，除了宽的带隙外，SiC 还具有高的热导率， 25℃时为 333W ／ (m · K)，200。C 时为 221W／(m ·K)，因此SiC被用于各种高温 中。磷化铟(InP)是一种用 于高频电子和光电子器件的新型化合物半导体材料，其热导率相当高，约为97W／(m ·K)，这使它可用 于大功率密 度的应用。氮化镓(GaN)是一种正在开发的半导体，其带隙宽，能够有效地实现大功率并在高达 40G Hz的频率下工作 ，热导率为16～32W／(m ·K)， 功率密度可以是GaSb和InP的许多倍。 ;第一代热管理材料;第19页/共35页;1.铜、铝 在体积相同的情况下，除了银之外，铜电导率最高 Cu可用于高热导／高电导的封装 铝及其合金重量轻、易加工，具有很高的热导率 铜、铝与芯片、基板严重的热失配影响了它们的广泛使用。;2.钼 钼在气密性封装中与可伐合金的环形框焊在一起作为气密封装的底座，其CTE为5.35×10-6／K，与可伐合金和 Al2O3的CTE 非常匹配。热导率为138w／(m·K)，可用于很多中功率和大功率密度的器件封装。钼底座的主要缺点是表面平整度比较差及重结晶后出现脆性。;3.可伐合金／Silvar合金 可伐合金含54％Fe、29％N i、17％Co，与A I 2O3、BeO、AlN 非常匹配，也称之为 AMF-15合金，用作低功率密度单芯片 和多芯片的封装底座。但可伐合金热导率比较低，30℃时为16.5W／(m · K )，限制了其在大功率密度器件上的应用。Silvar是一种由银和铁基合金组成的粉末冶金复合材料。一类Silvar由61 的Invar36％和39％Ag组成的各向同性可控复合材料，其CTE 为6．5×10／K，热导率为153W／(m·K )，另一类Silvar由72％可伐合金28％Ag组成，其CTE为7×10-6／K，热导率为110 w／(m·K)。;4.W—Cu、Mo—Cu合金 W-Cu 或Mo-Cu两相复合材料作为热沉材料的研究主要包括粉末处理、添加活性剂以提高合金的烧结密度等。采用纯度较高的粉末原料制备的均质W-15Cu 合金热导率可达200W／(m· K)， Mo-15Cu合金的可达160W／(m·K)。但是，随着功率密度的进一步增大和使用条件的更加苛刻，均质W-Cu或Mo-Cu材料已不能满足要求。日本学者首先提出了梯度功能结构材料的概念， 并对W-Cu和Mo—Cu梯度结构功能材料进行了大量研究。2000年文献第一次报道了采用粉末冶金熔渗工艺制取各相异性钨铜梯度材料的方法。;表2所示为W