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PAGE PAGE 1 电子设备的制作方法 电子设备1.本技术要求于2020年4月29日在韩国学问产权局提交的第10?2020?0052765号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的所有内容通过引用包含于此。技术领域2.在此的藏匿涉及一种显示设备以及一种创造其的办法，并且涉及一种包括氧化物半导体的显示设备和一种用于创造该显示设备的办法。背景技术：3.电子设备可以包括用于显示图像的显示面板。显示面板可以包括信号线和可以电衔接到信号线的像素。像素中的每个可以包括驱动元件和发光元件，并且可以通过经由电衔接驱动元件和发光元件的信号线接收电信号来驱动。4.将理解的是，该背景技术部分部分地旨在提供用于理解技术的实用的背景。然而，该背景技术部分也可以包括在在此所藏匿的主题的对应的有效提交日期之前不是相关领域技术人员已知或理解的内容的一部分的主意、构思或熟悉。技术实现要素：5.藏匿提供了一种可以以高速驱动的电子设备以及一种用于以降低的加工成本创造电子设备的办法。6.实施例提供了一种电子设备，电子设备可以包括：第一晶体管，包括第一氧化物半导体图案；其次晶体管，包括与第一晶体管的第一氧化物半导体图案分隔开的其次氧化物半导体图案；阻止层，设置在其次晶体管下方且包括导电材料；信号线，电衔接到第一晶体管且包括设置在不同的层上的第一线和其次线；桥接图案，电衔接到第一晶体管、信号线的第一线和信号线的其次线中的每者；第一绝缘层，设置在信号线的第一线与信号线的其次线之间；以及其次绝缘层，设置在第一晶体管与桥接图案之间，其中，信号线的第一线和阻止层可以设置在同一层上，并且信号线的其次线和第一氧化物半导体图案可以设置在同一层上。7.在实施例中，信号线的其次线可以包括挨次地堆叠的第一层和其次层。8.在实施例中，信号线的其次线的第一层可以包括氧化物半导体。9.在实施例中，信号线的其次线的第一层可以包括锡。10.在实施例中，信号线的其次线的其次层可以包括晶体结构。11.在实施例中，信号线的其次线的其次层可以包括透亮?????导电氧化物。12.在实施例中，信号线的其次线的第一层和第一氧化物半导体图案可以包括相同的材料。13.在实施例中，桥接图案可以穿过其次绝缘层电接触第一氧化物半导体图案。14.在实施例中，电子设备还可以包括发光元件，发光元件包括：阳极电极，电衔接到其次晶体管；阴极电极，设置在阳极电极上；以及发光图案，设置在阳极电极与阴极电极之间，其中，桥接图案和阳极电极可以设置在同一层上。15.在实施例中，阳极电极可以电衔接到其次氧化物半导体图案和阻止层。16.在实施例中，电子设备可以包括：第一晶体管，包括氧化物半导体图案；第一线，在平面图中与第一晶体管分隔开；其次线，在平面图中与第一晶体管分隔开，其中，第一线和其次线可以设置在不同的层上且可以包括不同的材料；阻止层，与第一晶体管的氧化物半导体图案叠置，阻止层和第一线设置在同一层上；以及桥接图案，电衔接到第一晶体管、第一线和其次线，其中，桥接图案、第一线和其次线可以设置在不同的层上。其次线可以包括：第一层，包括氧化物半导体图案；以及其次层，设置在第一层上且包括导电氧化物。17.在实施例中，氧化物半导体图案和其次线可以设置在同一层上。18.在实施例中，第一层可以包括锡。19.在实施例中，其次层可以包括晶体结构。20.在实施例中，第一线和阻止层可以包括相同的材料。21.在实施例中，用于创造电子设备的办法可以包括以下步骤：在基体基底上形成阻止层和第一线；形成与阻止层和第一线叠置的绝缘层；在绝缘层上挨次地形成氧化物半导体层和导电氧化物层；使氧化物半导体层和导电氧化物层图案化以形成彼此分隔开的第一图案、其次图案和第三图案；去除第一图案和其次图案中的每个的导电氧化物层；对第三图案的导电氧化物层热处理以形成其次线；以及形成电衔接其次线和第一线的桥接图案。22.在实施例中，氧化物半导体层可以包括包含锡的半导体材料。23.在实施例中，可以用法硫酸类或硝酸类蚀刻剂来执行去除第一图案和其次图案中的每个的导电氧化物层的步骤。24.在实施例中，可以用法半色调掩模形成彼此分隔开的第一图案、其次图案和第三图案。25.在实施例中，所述办法还可以包括下述步骤：在形成其次线的步骤之后形成阳极电极、发光图案和阴极电极，其中，形成阳极电极的步骤可以包括同时地形成阳极电极和桥接图案。附图解释26.附图被包括以提供进一步理解，并且并入本解释书中并构成本解释书的一部分。附图示出了实施例，并且与解释书一起用于说明藏匿的原理。在附图中：27.图1是按照实施例的电子设备的框图；28.图2是按照实施例的像素的等效电路图；29.图3是按照实施例的电子设备的暗示性