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PAGE PAGE 1 电子设备的制作方法 [0001]本描述涉及电子设备。[0002]一个或多个实施例可以被应用于诸如微机电系统(mems)类型传感器的传感器。背景技术：[0003]现今，包括微机电系统(mems)传感器和相关联的“辅助”(companion)芯片(诸如专用集成电路(asic))的电子设备在本事域中是频繁的，其中mems部件被安装在辅助集成电路(ic)芯片上、或与辅助ic芯片布置于相同衬底上。[0004]这种设备可以被封装在全模制封装中，全模制封装的厚度由衬底和模制框(mold chase)限定。[0005]减小总的设备封装厚度是期望的目标，这可以通过如下方式来达到：通过改进工艺公差来减小衬底厚度和/或减小框厚度。[0006]在该方向上的另一选项可以涉及移动到芯片级封装(csp)工艺。注重，因为相关联的前端(fe)工艺的特定特征，csp计划可能不适用于mems和其他传感器结构。[0007]裸露半导体(硅)衬底的“顶”侧也已经被提出，主要目的是打开例如压力传感器或光学设备中的感测口。裸露衬底的“底”侧也已经被提出，以便改进来自封装的热耗散。[0008]注重，这样的计划的限制因素与围绕(例如，嵌入)囫囵设备的衬底、框架和/或模制料的用法有关。[0009]本事域中需要提供一种克服了前述缺点的解决计划。技术实现要素：[0010]本申请人已经发觉，常规的电子设备的封装厚度需要减小。[0011]为了克服上述问题，本有用新型因此提供了一种电子设备。[0012]在一个方面中，提供了一种电子设备，其特征在于，包括：支撑构件；第一电子部件，具有相对的第一表面和其次表面，其中第一电子部件被布置在支撑构件上，其中其次表面面对支撑构件，其中第一电子部件具有在相对的第一表面与其次表面之间的第一厚度；衬底；其次电子部件，被安装在衬底上，其中衬底被布置在支撑构件上，衬底具有与其次电子部件相对的、并且面对支撑构件的衬底表面，其中被组合的衬底、以及被安装在衬底上的其次电子部件具有其次厚度，其次厚度小于第一厚度；以及封装模制材料，封装模制材料包封其次电子部件，但使第一电子部件的相对的第一表面和其次表面、以及衬底的衬底表面裸露。[0013]在一些实施例中，该电子设备还包括在其次电子部件与衬底之间的导电构造，其中封装模制材料包封导电构造。[0014]在一些实施例中，该电子设备还包括在第一电子部件与衬底之间的导电构造，其中封装模制材料包封导电构造。[0015]在一些实施例中，该电子设备还包括在第一电子部件与其次电子部件之间的导电构造，其中封装模制材料包封导电构造。[0016]在一些实施例中，该电子设备还包括电磁屏蔽件，电磁屏蔽件在第一电子部件的相对的第一表面和其次表面中的起码一项之上。[0017]在一些实施例中，其中第一电子部件包括压力传感器，并且其中压力口被提供在相对的第一表面和其次表面中的一项或多项处。[0018]在一些实施例中，其中第一电子部件包括传感器，并且其次电子部件包括半导体集成电路芯片。[0019]在一些实施例中，其中传感器是微机电系统传感器，并且其中半导体集成电路芯片是专用集成电路。[0020]本藏匿的实施例能够实现较薄的总封装厚度。附图解释[0021]现在将参考附图仅通过示例的方式描述一个或多个实施例，其中：[0022]图1a至图1e示出了用于制作一个实施例的办法步骤，[0023]图2a至图2e示出了用于制作一个实施例的办法步骤，[0024]图3a和3b示出了可能的变型，以及[0025]图4a和4b示出了另一可能的变型。详细实施方式[0026]一个或多个实施例涉及将传感器部件(例如，mems部件)、以及被安装在相关联衬底上的辅助芯片(例如，asic)并排布置在支撑表面(例如，诸如条带)上。在提供传感器部件与辅助芯片之间电耦合之后，封装料被上模制在组件上。支撑条带被移除，使得所得的封装呈现出与传感器部件的(单个)厚度基本对应的终于厚度。[0027]在随后的描述中，一个或多个详细详情被解释，目的是提供对本描述示例实施例的深化理解。实施例可以在没有一个或多个详细详情的状况下，或者利用其他办法、组件、材料等获得。在其他状况下，已知的结构、材料或操作未被具体解释或描述，使得实施例的某些方面将不被含糊。[0028]在本描述的框架中提及“实施例”或“一个实施例”意在指示与该实施例有关的所描述的特定配置、结构或特性被包括在起码一个实施例中。因此，可能浮现在本描述的一个或多个点中的诸如“在实施例中”或“在一个实施例中”的短语，并不一定指代相同实施例。而且，特定构造、结构或特性可以在一个或多个实施例中