电子束探测技术及相关结构的制作方法.docxVIP

PAGE PAGE 1 电子束探测技术及相关结构的制作方法 交错引用本专利申请要求于2019年12月2日提交的马宗达(majumdar)等人的标题为“electronbeamprobingtechniquesandrelatedstructures”(电子束探测技术及相关结构)的美国专利申请第16/700,976的优先权，所述申请已转让给本申请的受让人，并在此通过引用将其所有内容并入本申请。技术领域涉及电子束探测技术及相关结构。背景技术：以下通常涉及电子器件(例如，存储器器件之类的半导体器件)，并且更详细地，涉及电子束探测技术及相关结构。存储器器件广泛用于在例如计算机、无线通信器件、照相机、数字显示器等各种电子器件中存储信息。通过将存储器器件内的存储器单元编程到各种状态来存储信息。例如，可将二进制存储器单元编程到通常由规律1或规律0表示的两种支持状态中的一种。在一些实例中，单个存储器单元可支持两种以上状态，其中任一状态可被存储。为了存取所存储的信息，组件可读取或感测存储器器件中的起码一个存储的状态。为了存储信息，组件可在存储器器件中写入或编程状态。存在各种类型的存储器器件和存储器单元，包含磁性硬盘、随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、动态ram(dram)、同步动态ram(sdram)、铁电ram(feram)、磁性ram(mram)、电阻性ram(rram)、快闪存储器、相变存储器(pcm)、自挑选存储器、硫属化合物存储器技艺等。存储单元可以是易失性或非易失性的。非易失性存储器例如feram，即使在没有外部电源的状况下也可在延伸的时光段内维持其存储的规律状态。易失性存储器器件例如dram，在与外部电源断开时可能失去其存储状态。在一些状况下，存储器器件可包含一或多个电缺陷，例如意外传导路径(例如，短路)，所述电缺陷可能抑制存储器器件性能。可能需要用于确定存储器器件内的电缺陷的器件和技术。技术实现要素：描述了一种办法。所述办法可包含：在存储器器件的衬底上方形成第一材料；在第一材料上方形成其次材料的凸起线和由其次材料围绕的沟槽；以及起码部分基于凸起线形成第一材料的第一回路且起码部分基于沟槽形成第一材料的其次回路，其中第一回路的第一子集电浮动且第一回路的其次子集与存储器器件的接地基准耦合，且其次回路的第一子集电浮动且其次回路的其次子集与存储器器件的接地基准耦合。描述了一种办法。所述办法可包含：识别回路集合，其中回路集合的第一子集与接地基准耦合且回路集合的其次子集与接地基准隔离；用电子束扫描回路集合；起码部分基于用电子束扫描回路集合来生成光学图案；将所生成的光学图案与其次光学图案举行比较；起码部分基于所生成的光学图案与其次光学图案之间的不同来确定泄漏路径。描述了一种装置。所述装置可包含：用于存储器器件的存取线集合，所述存取线集合在存储器器件的第一层级处且包含第一材料；包含第一材料且在存储器器件的第一层级处的第一线集合，所述第一线集合中的第一线各自电浮动；包含第一材料且在存储器器件的第一层级处的其次线集合，所述其次线集合与接地基准耦合，其中第一集合的起码两个线被夹置于其次集合的第一个线和其次集合的其次个线之间。附图解释图1解释按照本文所藏匿的实例的支持电子束探测技术及相关结构的存储器阵列的实例。图2解释按照本文所藏匿的实例的支持电子束探测技术及相关结构的交错点存储器阵列的实例。图3解释按照本文所藏匿的实例的支持电子束探测技术及相关结构的存储器阵列的办法。图4解释按照本文所藏匿的实例的支持电子束探测技术及相关结构的存储器阵列的办法。图5解释按照本文所藏匿的实例的支持电子束探测技术及相关结构的存储器阵列的办法。图6a到6d解释按照本文所藏匿的实例的支持电子束探测技术及相关结构的电路的实例。图7a到7d解释按照本文所藏匿的实例的支持电子束探测技术及相关结构的电路的实例。图8a到8g解释按照本文所藏匿的实例的支持电子束探测技术及相关结构的电路的实例。图9解释按照本文所藏匿的实例的支持电子束探测技术及相关结构的存储器器件结构的实例。图10展示按照本藏匿的各方面的支持电子束探测技术及相关结构的测试管理器的框图。图11和12展示解释按照本文所藏匿的实例的支持电子束探测技术及相关结构的一或多种办法的流程图。详细实施方式存储器器件的设计者及创造商可测试存储器器件的各方面的电缺陷，例如，出于质量控制目的或作为设计过程的一部分的意外传导路径(例如，短路或泄漏)或断开(例如，开口)。为清晰起见，在本文中用法词“缺陷”来描述未包含在存储器器件的设计中但可能在制作期间引入(例如，因为创造过程中的变幻或其它未预见到的方面)的传导路径或断开。开口可能是包含存储器器件的两个