CCD地基本结构和工作原理.docVIP

CCD的基本结构和工作原理 电荷耦合器件的突出特点是以电荷作为信号， 而不同于其他大多数器件是以电流或电压 为信号。CCD勺基本功能是电荷的存储和电荷的转移。因此， CCD工作过程的主要问题是信 号电荷的产生、存储、传输和检测。 CCD有两种基本类型：一是电荷包存储在半导体与绝缘体之间的界面，并沿界面传输， 这类器件称为表面沟道 cc（简称sccd；二是电荷包存储在离半导体表面一定深度的体内， 并在半导体体内沿一定方向传输，这类器件称为体沟道或埋沟道器件（简称 BCCD。下面以 SCCE为主讨论CCD的基本工作原理。 1. CCD的基本结构 构成CCD的基本单元是 M0（金属一氧化物一半导体）结构。如图 2-7（a）所示，它是在 p型Si衬底表面上用氧化的办法生成 1层厚度约为1000?〜1500?的SiO2,再在SiO2表面 蒸镀一金属层（多晶硅），在衬底和金属电极间加上 1个偏置电压，就构成 1个MOSt容器。 当有1束光线投射到 MOS电容器上时，光子穿过透明电极及氧化层，进入 p型Si衬底，衬 底中处于价带的电子将吸收光子的能量而跃入导带。 光子进入衬底时产生的电子跃迁形成电 子一空穴对，电子一空穴对在外加电场的作用下， 分别向电极的两端移动， 这就是信号电荷。 这些信号电荷存储在由电极组成的“势阱”中。如图 1所示。 (a) 图1 CCD的基本单元 2. 电荷存储 如图