浙江4月高等教育自学考试线性电子电路试题及答案解析.docVIP

Word可编辑 浙江省2022年4月高等教育自学考试 线性电子电路试题 课程代码：02340 一、填空题(每空1分，共20分) 1.利用晶体二极管的___________和___________特性，可以构成整流、稳压、限幅等各种功能电路。 2.半导体中，由浓度差引起非平衡载流子运动，形成___________电流，由外加电场引起载流子运动形成___________电流。 BE=0.7V,VCE=1.0V,那么该管工作在区，由___________材料制造。 4.晶体管工作在放大状态时，其发射结的结电容主要是___________电容，集电结的结电容主要是___________电容。 5.通常将反型层称为增强型MOS管的源区和漏区之间的___________沟道，其中由___________形成的沟道称为N沟道。 6.场效应管工作在非饱和区时，其ID和VDS之间呈___________关系，故又称该区为___________。 7.在晶体管放大器中，即能放大电压也能放大电流的是___________组态放大电路；可以放大电压但不能放大电流的是___________组态放大电路。 8.放大电路的失真分为___________和___________两大类。 9.放大电路中，引入直流负反响的作用是___________，引入交流负反响的目的是改善放大器的___________。 10.深度负反响条件是___________，此时反响放大器的增益近似等于___________。 二、单项选择题(在每题的四个备选答案中，选出一个正确答案，并将正确答案的序号填在题干的括号内。每题2分，共20分) 1.当PN结外加正向电压时，扩散电流( )漂移电流。 2.当P型半导体和N型半导体相接触时，在P型和N型半导体交界处，形成一个区域，以下的哪种名称不能描述该区域?( ) 3.有四个晶体三极管：它们的电流放大系数β及穿透电流ICEO的值，使用时选用哪个更适宜?( ) A.β=200,ICEO=10μA B.β=10,ICEOμA C.β=50,ICEOμA D.β=100,ICEO=10μA 4.常温下，某晶体三极管在ICQ=1mA处，rbeΩ，β=50,那么等于( )。 ΩΩΩΩ DSS为6mA，而IDQ自漏极流出，大小为8mA，那么该管是( )。 6.场效应管工作在放大状态时，其静态工作点应设置在输出特性曲线的( )。 7.具有相同参数的相同放大电路的两级放大器，在组成它的各个单级放大器的截止频率处，总的电压放大倍数下降( )。 8.集成运算放大器实质上是一种( )。 9.多级负反响放大电路容易引起自激振荡的原因是( )。 A.各级电路的参数很分散 B.回路增益||大 10.负反响可以改善放大器的性能，下述哪种说法不准确?( ) 三、简答题(每题5分，共15分) 设二极管为理想，试判断图三(1)电路中，各二极管是否导通，并求VAO的值。 设图三(2)所示电路中三极管为硅管，β=50，试通过估算判断它的静态工作点位于哪个区? 在图三(3)所示电路中，MOS管的,VGs(th)=1.0V,试求IDQ,VGSQ,VDSQ的值。 四、分析计算题(每题9分，共45分) 1.放大器电路如图四(1)所示，场效应管的gm=2ms,rds忽略不计，所有电容对交流呈短路。求： (1)电压放大倍数Av； (2)输入电阻Ri和输出电阻Ro； (3)只考虑CD的影响，求低端转折频率fL的值。 2.差动放大电路如图四(2)所示，IEE=1mA，所有管子特性相同，β=100,=0,|VA|=100V，求： (1)差模输入电阻Rid和差模输出电阻Rod； (2)差模电压放大倍数Aυd=υo/(υi1-υi2)； (3)由T3管构成的恒流源的等效内阻ro3. 3.电路如图四(3)所示。 (1)采用υ01输出时，该电路属于何种类型与极性的反响放大电路? (2)采用υ02输出时，该电路属于何种类型与极性的反响放大电路? (3)假设为深度负反响，试求第2种情况下的电压增益Aυf=υo2/υi. 4.运放电路如图四(4)所示，各运放均为理想，试求 (1)υ03和υo(t)及υ02和υ03的关系； (2)写出υo(t)和υs(t)之间的关系式。 电路如图四(5)所示，所有运放均为理想且最大输出电压为±12V，设υi1=υi2=0V时， υo=+12V (1)当υi1=-10V，υi2=0V时，经过多少时间，υo由+12V跳变为-12V? (2)υo变成-12V后，υi2由0V变为+15V，求再经过多少时间，υo由-12V跳变为+12V? (3)说明A1、A