半导体清洗设备行业驱动因素及市场规模.pdfVIP

半导体清洗设备行业驱动因素及市场规模 在芯片制造过程中, 不规则的杂质例如颗粒污染物、残留化学物质或其他 污染物会扭曲光刻过程中的图案、阻碍薄膜沉积、妨碍刻蚀或损害芯片性能, 从 而直接导致芯片制造良率（一块晶圆片上符合要求的芯片比例）的下降. 而不规 则的杂质可能来自于基板材料、制造设备、工作人员、洁净室空气以及制造过程 中的任何一道工序. 因此, 几乎每道工序都涉及到清洗. 而且集成电路的集成 度愈高, 所需要的清洗工艺也越多. 清洗工艺旨在去除芯片制造中上一道工序所遗留的超微细颗粒污染物、金 属残留、有机物残留物, 去除光阻掩膜或残留, 也可根据需要进行硅氧化膜、氮 化硅或金属等薄膜材料的湿法腐蚀, 为下一步工序准备好最佳的表面条件. 集成电路制造过程 目前主要有两种基本的清洗工艺. 湿法工艺是使用各种化学药液与晶圆 表面各种杂质粒子发生化学反应, 生成溶于水的物质, 再用高纯水冲洗, 依次 去除晶圆表面各种杂质. 干法工艺是不采用溶液的清洗技术, 通过等离子清洗 技术、汽相清洗技术或束流清洗技术来去除晶圆表面的杂质. 湿法工艺在达到晶 圆表面的洁净度和平滑度方面通常优于干法工艺, 并且是目前单晶圆清洗使用 的标准工艺, 应用于晶圆制造过程中90%以上的清洗步骤. 湿法腐蚀速率, 腐 蚀均匀性, 晶圆正、反面交叉污染的控制, 清洗效率等都是至关重要的工艺要 素. 清洗工艺分类 随着半导体芯片工艺技术节点进入28纳米、14纳米等更先进等级, 工艺 流程的延长且越趋复杂, 产线成品率也会随之下降. 造成这种现象的一个原因 就是先进制程对杂质的敏感度更高, 小尺寸污染物的高效清洗更困难. 解决的 方法主要是增加清洗步骤. 每个晶片在整个制造过程中需要甚至超过200道清 洗步骤, 晶圆清洗变得更加复杂、重要及富有挑战性. 清洗步骤次数与制程的关系 产线良率与工艺节点的关系 目前的清洗设备主要可以分为单晶圆清洗设备和槽式清洗机. 槽式清洗 机用于批量处理晶圆. 通过 RCA 清洗方法, 大量使用 NH4OH, HCL, H2O2, H2O 等试剂, 并且添加表面活性剂和 HF,再引入超声波清洗和兆声清洗, 达到清洗 的目的. 单晶圆清洗设备可以针对单个晶圆的清洗进行条件优化, 采用单片旋 转清洗法, 通过浸没喷洒的方式将化学试剂和水不断供应到晶圆表面. 批处理技术和单晶圆清洗技术比较 晶圆清洗技术 方法 步骤 优点 缺点 超声波的能量会破坏 大量使用 NH4OH， 晶圆的某些结构，降 HCL，H2O2，H2O 等 低超声波的能量或稀 试剂，并且添加表 RCA 清 释清洗溶液的浓度则 批处理技术 面活性剂和 HF,再 产能较高 洗方法 会降低污染物去除效 引入超声波清洗和 率；不断增加的废水 兆声清洗，达到清 废液造成环境污染； 洗的目的。