SOI4×4严格阻塞型开关阵列与部分阻塞型开关阵列的比较.doc

SOI 4 X 4严格阻塞型开关阵列与部分阻塞型开关阵列的比 较 光开关是构成开关阵列的基本元素，本文主要对开关 单元、 4X 4 部分阻塞型开关阵列和 4X 4 严格无阻塞型开关 阵列进行了设计及性能仿真，并对两种开关阵型做了性能和 结构的对比，部分阻塞型开关附加损耗为 11.598dB〜 11.653dB,串扰为-21.8〜-14.5dB。严格无阻塞型光开关阵 列附加损耗18.2443dB〜18.8512dB，串扰为-25.8dB〜 -16.8dB 。二者的小光比都在 14-25dB 范围内变化。 【关键词】导波光学 定向耦合器 开关阵列 SOI 1 引言 SOI(silicon-on-insulator )材料的光开关具有与传统硅技 术相兼容、实现光电的集成，开关响应时间快，精湛的加工 工艺和造价低廉等优势，而成为全世界广泛应用的具有发展 前景的半导体材料。 光开关阵列的结构按功能分可以分为严格无阻塞型、可 重构无阻塞型和部分阻塞型。本文主要针对 4X 4 部分阻塞 型光开关阵列和严格无阻塞型开关阵列的性能及结构做对 比，开关单元采用定型耦合器型 MZI 结构，利用 Opti-bpm 软件模拟了开关单元及开关阵列的结构，并对其性能进行分 析。 2 ?_关单元的设计 大规模的光开关阵列通常可以由 2X2的开关单元按一 定的拓扑结构级联而成。我们设计的两种 4X4开关单元都 是采用这种方式。开关单元才用了定向耦合器型 MZI 结构， 其由两个定向耦合器，两个调制臂、电极以及输入输出波导 构成。光信号经过第一个定向耦合器被等分成两路，经过两 个对称的相移臂传输之后再经过二个定向耦合器合成一路 光输出，通过改变其中一个相移臂的折射率对光进行移相， 可以调节最终的光是从交叉态端口还是从直通态端口输出。 采用热光效应和电流注入(等离子色散效应)都可以改变相 移臂的折射率，实现开关切换。 文中所设计的波导参数为脊宽 w=4 ,脊高h=0.6卩m、脊 波导最高度 H=1卩m，波导宽度为 9卩m, nsi=3.44、 nsio2=3.40、nair=1。图1 (a)为4 x 4部分阻塞型光开关阵 列结构示意图，可以看出其结构非常简单，只由 4个2 x 2 开关单元和一对交叉波导构成。 4x 4 严格无阻塞型光开关阵 列，其结构相对于前者要繁琐一些，拓扑结构也相对复杂一 些，开关阵列采用 12 个基本开关大院由三级级连而成，每 级四个开关单元，此开关阵列通过简化树形的结构来设计完 成的，其有最少的开关单位和最少的波导连接等优点，如图 1 (b)所示。 通过结构图，用 OptiSystem 软件生成 MZI 光开关单元 组成的网络，设计的矩阵开关压缩为子系统，在 矩阵光开 关的1输入端口输入中心波长为 1550卩m，输出能量为1w 的激光。 3 结论 设计并制作了 4X4部分阻塞型光开关和严格无阻塞型 光开关，部分阻塞型光开关阵列附加损耗为 11.598dB〜 11.653dB,串扰为-21.8〜-14.5dB。严格无阻塞型光开关阵 列附加损耗18.2443dB〜18.8512dB，串扰为-25.8dB〜 -16.8dB。二者的小光比都在 14〜25dB范围内变化。通过对 两种开关阵列的模拟与仿真分析，我们可以看出部分阻塞型 的开关阵列输出性能要优于严格无阻塞的开关阵列，原因为 前者的阵列机构相对于后者要简单很多，级连少产生的串扰 和损耗都会相应的减小，前者优良的输出特性更是完胜后 者。但部分阻塞型光开关阵列并不能在当代高速大容量的 DWDM 全光网中生存下去， 最大的危机就是会使 OXC 出现 阻塞问题，严重的影响系统的通讯性能，因此，一般将它应 用在光网络的恢复、自动保护倒换和、监视和光器件的测试 等领域。 （通讯作者：郭丽君） 参考文献 [1] Di 丫 , Jin -Zhong 丫 U , Chen S W, et al.A Novel 2 x 2 SOI Thermo-Optic Switch[J].Guangdianzi Jiguang/journal of Optoelectronics Laser ， 2007， 18（ 11）： 1280-1279. [2] 杨笛，李艳萍，陈少武， et al. A 4X 4 Strictly Nonblocking Silicon-on-Insulator Thermo-Optic Switch Matrix[J].Chinese Physics Letters ， 2005， 22（06）：1446-1448. [3] 李淳飞 .全光开关原理 [J] .北京：科学出版社， 2010. [4] Moosburger R , Petermann K.4 x 4 digital optical