半导体集成电路复习总结(1)剖析.pdfVIP

1、 隐埋层杂质的选择原则； ①杂质固溶度大，以使集电极串联电阻降低； ②高温时在硅中的扩散系数要小，以减小外延时隐埋层杂质上推到外延层的距离； ③与硅衬底晶格匹配好，以较小应力 因此最理想的隐埋层杂质是砷（ As ） 2、 外延层厚度包括哪几个部分，公式里的四项分别指什么？ 延层厚度应满足 TepiXjc+Xmc+TBL-up+Tepi-ox 集区扩散结深 Xjc 、集电极耗尽区宽度 Xmc、埋层扩散上推距离 TBL-up 和为外延淀积 后各道工序生成的氧化层所消耗的外延层的厚度 tepi-ox; 3、 双极集成电路工艺中的七次光刻和四次扩散分别指什么？ 七次光刻 ：N+隐埋层扩散孔光刻； P+隔离扩散孔光刻； P 型基区扩散孔光刻； N+发射 区扩散孔光刻；引线接触孔光刻；金属化内连线光刻；压焊块光刻； 四次扩散 ：隐埋层扩散； P 型隔离扩散； P 型基区扩散； N+发射区扩散； 4、 集成和分立的双极型晶体管结构上有何区别？ 在 pn 结隔离工艺中， 典型 NPN集成晶体管的结构是四层三结构， （NPN管高浓度 N 型扩 散发射区， NPN管 P 型扩散基区， n 型外延层（ PNP管集电极） ，p 型衬底 EB 结 BC 结 CS结）而分立的是三层二结结构 5、 扩散电阻最小条宽的确定原则； （P58） ①设计规则决定的最小扩散条宽 Wmin ②工艺水平和电阻精度要求所决定的最小电阻条宽 Wr，min ③流经电阻的最大电流决定 Wr ，min 分析了对电阻最小条宽的三种限制， 在设计扩散电阻的最小条宽时应取其中最大的一个 6、 SBD与普通二极管的相比，有哪些特点？ ①SDB的正向导通压降 Uth 小 ; ②小注入时 SDB是多子导电器件，改变电压时，响应速度快； ③SBD的反向饱和电流 Ids 大 ; ④SDB正向电压温度系数小； 7、 集成电阻器和电容器的优缺点； （P55） 优点： 元件间的匹配及温度跟踪好 缺点： ①精度低，绝对误差大； ③可制作范围有限，不能太大，也不能太小； ②温度系数较大； ④占用的芯片面积大，成本高； 11、横向 PNP管的直流电流放大倍数小的原因； (P31-34) ①存在纵向 PNP的影响 A. 在图形设计上减少发射区面积与周长之比 B 在工艺上可采用增大结深及采用埋层工艺等方法 ②横向 PNP管本身结构上的限制 A. 其横向平均基区宽度不可能做得太小 B. 发射极注入效率低 C. 表面复合影响大 12、减小 NPN晶体管中的集电极串联电阻 r CS 的方法； （P24） ①在工艺设计上，采用加埋层的方法以减小 rcs ，在满足工作电压要求情况下减小外 延层电阻率和厚度，采用深 N+集电极接触扩散以减小 rcs 。 ②在版图设计上， 电极顺序采用 BEC排列来减小 L ，以减小 rc2 ，采用双集电极或马 EC 蹄形集电极图形减小 rc2 ，但芯片面积及寄生电容增大了。 1 13、衬底 PNP的特点； （P37） ①纵向 PNP管的 C 区为整个电路的公共衬底， 直流接最负电位， 交流接