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第五章集成门电路 一、半导体器件的开关特性 1、二极管的开关特性 （1） 、开关作用 二极管加正偏电压时导通，导通电压比较小（硅管约为 0.7V，锗 管约为0.2V ）。 二极管加反向电压时截止，截止后的反向电流很小。 （2） 、动态特征 反向恢复过程： D正偏时，PN结电阻较小；加上反压后，形成较大的电流丨2。之后， 随着结电阻的增加，反向电流逐渐减小，直至漏电流 *。电流由 I 2 : —2 ■- 0.1 I 2所需的时间，成为反向恢复时间tre。 R 说明： a转换时间：截止，导通较小，导通，截止较大，故二极管D的开关时间以tre来衡量 b、V的最高频率以10tre来取值。 2、晶体管的开关特性 （1）、开关作用 当ui为高电平（5V）时，发射结正偏。当基极电流Ib足够大时，将使晶 体管饱和导通，其管压降Uces很小（硅管约为0.3V，锗管约为0.1V），所以 o^=]-r T 工程上可以认为Uces肚0，即集电极与发射极之间相当于短路。 ] 一 晶体管饱和的条件： 晶体管刚刚由放大进入饱和时的状态称为 临界饱和状态，此时的集电极电流称为 集电极 临界饱和电流，用Ics表示，则: VCC - U CES CS Rc Vcc Rc 此时的基极电流称为基极临界饱和电流 ，用I BS表示，贝U： BS CSr Vcc Rc 0~3幵启延时上升坤存储下降 0~ 3 幵启延时上升 坤