三极管性能总结Doc1.docxVIP

基电极匚 Q C N 基根b l 一：三极管的结构及类型 自 通过工艺货■法,把两个二极沾砰背胖 型，它们的以屋图和符号图分别为:户如图 发射总 ⑴ 6 三极管慵靠摭I占 O Jerome-^ ,上 二 1 w 一 a— J连接起来级组成了心管。按 PN1幅科合方式有PN理和NPN ( 1)、(2) — e 发射吗 ⑵ 3 不管是什麽样的三极管，它们均包含三个区: 基极，集电极。同时又在两两交界区形成 PN经 基区很薄、基电结的面积很大。 二：三极管的特性 射必得区集，.拥发射结 那，相应 和基点结。 P 的引出三个电极：发射极， 且制作时都是发射区中掺杂、 ^cc_— ± (3 个 118=07 / / Uce=2V L / 加 0.2 0.4 0.6 ⑷ ) Jc[ d 1_ 饱和区.—— ?片F大区 *— r_」一戳止区一直出 ⑸ -r 1、输入特性 图4是三极管的输入特性曲线，函数表达式: 它表示 Ib 随 Ube 的变化关系，其特点是： 1）当Uce在0-2伏范围内，曲线位置和形状与 Uce有关，但当Uce高于2伏后，曲线与 Uce基本无 关，通常输入特性由两条曲线（U ce=0V和U ce=2V）表示即可。 2）当Ube UbeR时,Ib^O称（0?UbeR）的区段为“死区”当 Ube UbeR寸,Ib随Ube增加而增加, 放大时，三极管工作在较直线的区段。 2、输出特性 图 5 是三极管的的输出特性曲线，函数表达式： 它表示 Ic 随 Uce 的变化曲线，输出特性可分为三个区： 1）截止区：IB = 0时，此时的集电极电流近似为零，管子的集电极电压等于电源电压，两个结均反偏 2） 饱和区：此时两个结均处于正向偏置， UCE=0.3V 3）放大区：此时Ic=?Ib, Ic基本不随UCE变化而变化，此时发射结正偏，集电结反偏。 主要是放大区较为复杂，以 NPNE极管作简单描述如图 3,因为发射结正向偏置，且发射区进行重掺 杂，所以发射区的多数载流子扩散注入至基区，形成的电流为发射极电流 Ie, 又由于集电结的反向作用， 而注入至基区的载流子（电子）与基区的载流子（空穴）形成浓度差，因此这些载流子从基区扩散至集电 结，被电场拉至集电区形成集电极电流 Ic, 因为基区做的很薄，所以留在基区的发射区载流子很少，留下 的载流子（电子）与基区载流子（空穴）复合，被复合掉的基区空穴由基极电源 Eb 重新补纪念给，从而 形成了基极电流 Ib ，根据电流连续性原理便有： Ie=Ib+Ic ，即在基极补充一个很小的 Ib ，就可以在集电 极上得到一个较大的Ic ,这就是三极管电流放大作用， Ic与Ib是维持一定的比例关系，即： a=A Ic/ △Ib。 在开关电源里面三极管都用作开关作用， 截止区和饱和区是三极管工作在开关状态的区域，三极管 饱和导通时，工作点落在饱和区，三极管截止时，工作点落在截止区。 三，三极管的主要参数 1、直流参数 1）集电极－基极反向饱和电流 Icbo ：发射极开路（ Ie=0） 时，基极和集电极之间加上规定的反向电压 Vcb 时的集电极反向电流，它只与温度有关，在一定温度下是个常数，所以称为集电极一基极的反向饱和 电流。良好的三极管，Icbo很小，小功率错管的Icbo约为1?10微安，大功率错管的Icbo可达数毫安， 而硅管的 Icbo 则非常小，是毫微安级。 2）集电极－发射极反向电流 Iceo（ 穿透电流） ：基极开路（ Ib=0 ）时，发射极和集电极之间加上规定 反向电压Vce时的集电极电流。Iceo 大约是Icbo的a倍即Iceo=（1+ a）Icbo , Icbo和Iceo受温度影响 极大，它们是衡量管子热稳定性的重要参数，其值越小，性能越稳定，小功率锗管的 Iceo 比硅管大。 3）发射极－基极反向电流 Iebo ： 集电极开路时，在基极与发射极之间加上规定的反向电压时发射极 的电流，它实际上是发射结的反向饱和电流。 4）直流电流放大系数 a1 （或 hEF） ：这是指共发射接法，没有交流信号输入时，集电极输出的直流 电流与基极输入的直流电流的比值，即： a1=Ic/Ib 2、交流参数 1）交流电流放大系数 a （或hfe ）:这是指共发射极接法，集电极输出电流的变化量△ Ic与基极输 入电流的变化量△ Ib之比，即：a= AIc/ AIb 一般晶体管的a大约在10-200之间，如果a太小，电 流放大作用差，如果 a 太大，电流放大作用虽然大，但性能往往不稳定。 2）共基极交流放大系数 a （或hfb）:这是指共基接法时，集电极输出电流的变化是△ Ic与发射极 电流的变化量△ Ie之比，即： c=AIc/ △ Ie因为△ IcA Ie ,故a1o高频三极管的 a 0.90就可 以使