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最全半导体IC制造流程精 最全半导体IC制造流程精 最全半导体IC制造流程精 《半导体 IC 制造流程》 一、晶圆办理制程 晶圆办理制程之主要工作为在硅晶圆上制作电路与电子组件 (如晶体管、电容体、逻辑闸等 ,为上述各制程中所需技术最复杂且资本投入最多的过程 ,以微办理器 (Microprocessor 为例 ,其所需办理步骤可达数百道 ,而其所需加工机台先进且昂贵 ,动辄数千万一台 ,其所需制造环境为为一温度、湿度与含尘量 (Particle 均需控制的无尘 室 (Clean-Room,固然详尽的办理程序是跟着产品种类与所使用的技术有关 ;可是其基 本办理步骤往常是晶圆先经过适合的冲洗 (Cleaning 以后 ,接着进行氧化 (Oxidation 及 沈积 ,最后进行微影、蚀刻及离子植入等频频步骤 ,以达成晶圆上电路的加工与制 作。 二、晶圆针测制程 经过 Wafer Fab 之制程后 ,晶圆上即形成一格格的小格 ,我们称之为晶方或是晶 粒 (Die,在一般情况下 ,同一片晶圆上皆制作同样的芯片 ,可是也有可能在同一片晶圆上制作不一样规格的产品 ;这些晶圆一定经过芯片允收测试 ,晶粒将会一一经过针测 (Probe仪器以测试其电气特征 ,而不合格的的晶粒将会被标上记号 (Ink Dot, 此程序即称之为晶圆针测制程 (Wafer Probe。而后晶圆将依晶粒为单位切割成一粒粒独立的晶粒 ,接着晶粒将依其电气特征分类 (Sort 并分入不一样的仓 (Die Bank,而不合格的晶粒将于下一个制程中抛弃。 三、 IC 构装制程 IC 构装制程 (Packaging则是利用塑料或陶瓷包装晶粒与配线以成集成电路 (Integrated Circuit;简称 IC, 此制程的目的是为了制造出所生产的电路的保护层 ,防止 电路遇到机械性刮伤或是高温破坏。最后整个集成电路的四周会向外拉出脚架 (Pin, 称之为打线 ,作为与外界电路板连结之用。 四、测试制程 半导体系造最后一个制程为测试 ,测试制程可分红初步测试与最后测试 ,其主要 目的除了为保证顾客所要的货无弊端外 ,也将依规格区分 IC 的等级。在初步测试阶 段 ,包装后的晶粒将会被置于各样环境下测试其电气特征 ,比如耗费功率、速度、电 压容忍度 ...等。测试后的 IC 将会将会依其电气特征区分等级而置入不一样的 Bin 中(此过程称之为 Bin Splits,最后因应顾客之需求规格 ,于相对应的 Bin 中拿出部份 IC 做特别的测试及烧机 (Burn-In, 此即为最后测试。最后测试的成品将被贴上规格卷标 (Brand 并加以包装尔后交与顾客。未经过的测试的产品将被降级 (Downgrading 或 抛弃。 《晶柱成长制程》 硅晶柱的长成 ,第一需要将纯度相当高的硅矿放入熔炉中 ,并加入早先设定好的金属物质 ,使产生出来的硅晶柱拥有要求的电性特质 ,接着需要将全部物质消融后再长成单晶的硅晶柱 ,以下将对全部晶柱长成制程做介绍。 长晶主要程序︰ 消融 (MeltDown 此过程是将置放于石英坩锅内的块状复晶硅加热制高于摄氏 1420 度的消融温度之上 ,此阶段中最重要的参数为坩锅的地点与热量的供给 ,若使用较大的功率来消融复晶硅 ,石英坩锅的寿命会降低 ,反之功率太低则消融的过程费时太久 ,影响整体的产能。 颈部成长 (Neck Growth 当硅融浆的温度稳固以后 ,将1.0.0方向的晶种逐渐注入液中 ,接着将晶种往上拉升 ,并使直径减小到必定 (约 6mm,保持此直径并拉长 10-20cm,以除去晶种内的排 差 (dislocation,此种零排差 (dislocation-free 的控制主要为将排差限制在颈部的成长。晶冠成长 (Crown Growth 长完颈部后 ,慢慢地降低拉速与温度 ,使颈部的直径逐渐增添到所需的大小。 晶体成长 (Body Growth 利用拉速与温度变化的调整来迟保持固定的晶棒直径 ,所以坩锅一定不停的上涨来保持固定的液面高度 ,于是由坩锅传到晶棒及液面的辐射热会逐渐增添 ,此辐射热源将以致固业界面的温度梯度逐渐变小 ,所以在晶棒成长阶段的拉速一定逐渐地降低 ,以防止晶棒歪曲的现象产生。 尾部成长 (Tail Growth 当晶体成长到固定 (需要的长度后 ,晶棒的直径一定逐渐地减小 ,直到与液面分开 , 此乃防止因热应力造成排差与滑移面现象。 《晶柱切片后办理》 硅晶柱长成后 ,整个晶圆的制作才到了一半 ,接下一定将晶柱做裁切与检测 ,裁切掉头尾的晶棒将会进行外径研磨、切片等一连串的办理 ,最后才能成为一片片价值非凡的晶圆 ,以下将对晶柱的后办理制程做介绍。 切片 (Slicing 长远以来经援切片都是采纳内径锯 ,其锯片是一环状薄叶片 ,内