总结场效应管(FET)及基本放大电路定义.pdfVIP

第四章 场效应管（ FET ）及基本放大电路 §4.1 知识点归纳 一、场效应管（ FET ）原理 ·FET 分别为 JFET 和 MOSFET 两大类。 每类都有两种沟道类型， 而 MOSFET 又分为增强型和耗尽型 （JFET 属耗尽型），故共有 6 种类型 FET （图4-1 ）。 ·JFET 和 MOSFET 内部结构有较大差别， 但内部的沟道电流都是多子漂移电流。 一般情况下， 该电流与 vGS 、 vDS 都有关。 ·沟道未夹断时， FET 的 D-S 口等效为一个压控电阻（ vGS 控制电阻的大小） ，沟道全夹断时，沟道电流 i D 为 零；沟道在靠近漏端局部断时称部分夹断，此时 i D 主要受控于 vGS ，而 v DS 影响较小。这就是