整理微电子工艺答案,整理好的了.docxVIP

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  • 2021-12-02 发布于天津
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精 精品文档 精 精品文档 1.1.保护器件防止划伤和沾污 2?限制带电载流子场区隔离〔外表钝化〕 栅氧或存储单元结构中的介质材料 掺杂中的注入掩蔽 5?金属导电层间的电介质 减少外表悬挂键 2?化学反响:Si+2H2O-SiO2+2H2 水汽氧化与干氧氧化相比速度更快,由于水蒸气比氧气在二氧化硅中 扩散更快、溶解度更高 3?、1.干氧:Si + 02 SiO2 氧化速度慢,氧化层枯燥、致密,均匀性、重复性好,与光刻胶 的粘附性好 2、 水汽氧化:Si+H20 Si02 〔固〕+H2〔气〕 氧化速度快,氧化层疏松,均匀性差,与光刻胶的粘附性差 3、 湿氧:氧气携带水汽,故既有 Si与氧气反响,

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