第三章逻辑门电路050906.pptVIP

第三章 逻辑门电路;§1 逻辑门电路;二、半导体二极管的开关特性;⒉动态特性;三、半导体三极管的开关特性;⒈开关作用（续）;例1:计算图示电路的临界饱和电流。;⒉动态特性;四、基本门电路;⒈二极管与门(续);⒉ 二极管或门（D或门）;⑶符号;⒊ 晶体管非门 (反相器);⒋ 复合门;⒈ 正逻辑;正负逻辑约定举例;⒊ 正负逻辑转换（只需了解）;Y;§2 TTL集成门电路(与非门);一、电路;“0”;+5V;T1:倒置 ;+5V;工作原理小结:;3. 输入多发射极的作用;输入多发射极的作用（续）;输出级采用推挽电路不仅提供比较大的带负载能力，而且在接容性负载的状态转换时，可以产生比较大的充放电电流，产生陡峭的上升或下降沿，也提高了整体电路的开关速度。;+5V;⑵输出为高电平时：;TTL集成电路的外特性：;三、电压传输特性;电压传输特性分析;⒉几个参数;几个参数（续）;⒊噪声容限;四、输入/输出特性;输入伏安特性(续1);输入伏安特性(续2);条件：前级输出为 低电平。;R1;即输入端通过电阻R接地时的特性;ViVT=1.4V 时,相当输入低电平， 所以输出为高电平。;悬空的输入端（Ri＝∞）相当于接高电平。;开门电阻 RON;⒊输出特性;⑵输出高电平;门电路输出驱动同类门的个数;+5V;输出低电平时，流入前级的电流（灌电流）：;⑴工作速度;+5V;?可能工作在饱和状态下的晶体管T1、T2、T3、T5都用带有肖特基势垒二极管（SBD）的三极管代替，以限制其饱和深度，提高工作速度。 平均 tpd＝2～4ns;⒈主要性能（续）;⒊TTL系列说明;+5V;F;;F=F1F2F3?;全部截止;2)电平转移功能;⑷上拉电阻RL的确定;假设有一个输出是低电平;例：求上拉电阻大小;⒉三态门电路;+5V;1;截止;功能表; 分时控制各个门的CS端，就可以让各个门的输出信号分别进入总线。;两个三态门组成的电路， 门1为低电平使能 门2为高电平使能;§3 CMOS集成门电路;⒊符号及导通条件;⑴静态功耗小。（约10μW）;NMOS管驱动管;A=1;⒉工作原理（续）;VDD;⑵电流传输特性：;？;二、CMOS与非门;⒉工作原理;⒉工作原理;⒉工作原理;⒉工作原理;⒉工作原理（续）;三、CMOS或非门;⒉工作原理;⒉工作原理;⒉工作原理;⒉工作原理;⒉工作原理（续）;四、CMOS传输门(TG);⒉工作原理;⒉工作原理（续1）;导通;3. CMOS双向模拟开关;五、CMOS系列器件;六、逻辑门电路应用中的几个问题;以上数据是在VCC=VDD=+5V时的值;⑵ TTL门驱动CMOS门; 需要上拉到比较高的电压，普通TTL门电路不能承受。如VDD=15V, 则VIL约11V。这种情况可以使用OC门加上拉电阻的方法实现。计算方法如前。;3）加晶体管驱动;⑶ CMOS门驱动TTL门;⒉门电路驱动其它负载;加晶体管驱动LED;感性负载主要指继电器，主要是驱动电流能力不足。 1）可以使用门电路并联的方法。 2）常用晶体管驱动。;⒊多余端处理;⒋ CMOS器件应用注意;本章要求：;例1、P78题图3.7;例2 P80题图3－13 (b);例2 P80题图3－13 (a)