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电子技术应用高一 2014年春季期末考试
姓名:班级:总分:
姓名:
班级:
总分:
一、选择题:(每小题2分,共60分)选择题(每小题
一、选择题:
(每小题2分,
共60分)
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判断题(每小题2分,共40分)
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单极型半导体器件是(C)。
A、二极管;B、双极型三极管;C、场效应管; D、稳压管。
P型半导体是在本征半导体中加入微量的(A)元素构成的。
A、三价;B、四价;C、五价;D、六价。
3、稳压二极管的正常工作状态是(C ) o
A、导通状态;B、截止状态; C、反向击穿状态;D、任意
状态。
4、用万用表检测某二极管时,发现其正、反电阻均约等于1KQ,说明该二 极 管(C ) o
A、已经击穿;B、完好状态;C、内部老化不通;D、无法判断。
5、PN结两端加正向电压时,其正向电流是(A)而成。
A、多子扩散;B、少子扩散;C、少子漂移;D、多子漂移。测得NPN型
三极管上各电极对地电位分别为ve=21V,vb= 2.8V, Vc二4.4V,说明此三极管处在(A )
Ax放大区;B、饱和区;C、截止区;D、反向击穿区。
7、绝缘栅型场效应管的输入电流(C ) o
A、较大;B、较小;C、为零;D、无法判断。
正弦电流经过二极管整流后的波形为(C ) o
A、矩形方波;B、等腰三角波;C、正弦半波; D、仍为正弦
波。
9、三极管超过(C)所示极限参数时,必定被损坏。
A、集电极最大允许电流icmb 、集一射极间反向击穿电压U
C、集电极最大允许耗散功率RM; D、管子的电流放大倍数。
10、若使三极管具有电流放大能力,必须满足的外部条件是(C)
A、发射结正偏、集电结正偏; B、发射结反偏、集电结反偏;
C、发射结正偏、集电结反偏; D、发射结反偏、集电结正偏。
11、基本放大电路中,经过晶体管的信号有(C) o
Ax直流成分;
Ax直流成分; B、交流成分;
C、交直流成分均有。
12x基本放大电路中的主要放大对象是(B) o
Ax直流信号;
Ax直流信号; B、交流信号;
C、交直流信号均有。
13、分压式偏置的共发射极放大电路中,若也点电位过高,电路易出现(B)
A、截止失真; B、饱和失真;C、晶体管被烧损。
14、共发射极放大电路的反馈元件是(B) o
A\电阻
A\电阻Rb; B、电阻Re;
C、电阻RcO
15、功放首先考虑的问题是(A) o
A、管子的工作效率;B、不失真问题;C、管子的极限参数。
16、电压放大电路首先需要考虑的技术指标是(A) o
A、
A、放大电路的电压增益;
B、不失真问题;C、管子的工作效
率。
17、射极输出器的输出电阻小,说明该电路的(A)
A、带负载能力强; B、带负载能力差;C、减轻前级或信号源负
荷。
18、功放电路易出现的失真现象是(C) o
A、
A、饱和失真; B、截止失真;
C、交越失真。
19、基极电流iB的数值较大时,易引起静态工作点Q接近(B)
A、截止区; B、饱和区; C、死区。
20、射极输出器是典型的(C) o
A、电流串联负反馈;B、电压并联负反馈;C、电压串联负反馈。
21、理想运放的开环放大倍数代。为(A),输入电阻为(A),输出电阻为 (B)
A X;
A X;
B、0;
C、不定。
22、国产集成运放有三种封闭形式,目前国内应用最多的是(C) o
A、扁平式;B
A、扁平式;
B、
壳式;
C、双列直插式。
23x由运放组成的电路中,工作在非线性状态的电路是(C) o
A、反相放大器;B、差分放大器; C、电压比较器。
24、理想运放的两个重要结论是(B) o
A、虚短与虚地;B、虚断与虚短;C、断路与短路。
.集成运放一般分为两个工作区,它们分别是(B)。
A、正反馈与负反馈;B、线性与非线性;C、虚断和虚短。
、 (B)输入比例运算电路的反相输入端为虚地点。
A、同相;B 、反相; C、双端。
27x集成运放的线性应用存在(C)现熟 非线性应用存在(B)现象。
A、虚地; B 、虚断; C、虚断和虚短。
28x各种电压比较器的输出状态只有(B) o
A\一种; B \两种; C V二种。
29x基本积分电路中的电容器接在电路的(C)
A、反相输入端;B、同相输入端;C、反相端与输出端之间。
30、分析集成运放的非线性应用电路时,不能使用的概念是(B) oA、虚地;
B、虚短;C、虚断。
二、判断正误:(每小题2分,共40分)
P型半导体中不能移动的杂质离子带负电,说明
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