化学方面文献分享.pdfVIP

1.片式多层氧化锌压敏电阻陶瓷粉料制备方法 本发明公开了一种片式多层氧化锌压敏电阻陶瓷粉料制备方法，其组成 （重量％）为： Ｚｎ Ｏ８８．０～９７．１％；Ｂｉ ↓［２］Ｏ ↓［３］１．０～５．０％；Ｎｉ ↓［２］Ｏ ↓［３］ ０．２～１． ０％；Ｃｏ ↓［２］Ｏ ↓［３］０．５～１． ０％；ＴｉＯ ↓［２］０．５～１． ０％； ＭｎＯ ↓［２］０．１～０．５％；Ｃｒ ↓［２］Ｏ ↓［３］０．１～１．０％；ＢａＣＯ ↓ ［３］０．１～０． ５％；ＳｎＯ ↓［２］０．１～０． ５％； ＳｉＯ ↓［２］０．１～０． ５％； Ａｌ ↓［２］Ｏ ↓［３］０．１～０．５％；ＺｒＯ ↓［２］０．１～０．５％。本发明以氧 化锌粉料为主， 添加多种氧化物成分，作为添加剂，各种添加剂分别控制晶粒生长、形成晶 界、控制电压梯度和漏电流。 用此材料制作而成的压敏电阻其电性、 机械性及可靠性等方面 的性能大大提高，同时可以控制压敏电压可在１０Ｖ以下，漏电流５． ０ｕＡ以下，具有优 良的综合性能。 2.低温烧结 ZnO 多层片式压敏电阻器及其制造方法 本发明公开了一种低温烧结ＺｎＯ多层片式压敏电阻器， 一种低温烧结ＺｎＯ多层片式压敏 电阻器， 它是由ＺｎＯ瓷料和内电极层交错排布烧结而成， 其特征在于： 所述的ＺｎＯ瓷料 的主要原料为平均粒径为０．１０～０．９９ μｍ的ＺｎＯ亚微米粉体，所述的内电极层是 钯－银内电极层， 其中钯的比例占钯－银内电极重量的３～１０％， 银的比例占钯－银内电 极重量的９０～９７％， 该ＺｎＯ瓷料和钯－银内电极层交错排布， 并在９００～９８０℃ 的温度范围内烧结而成。 本发明还公开了一种上述低温烧结ＺｎＯ多层片式压敏电阻器的制 造方法。 3.纳米材料制备的多层片式 ZnO 压敏电阻器及其制造方法 本发明公开了一种纳米材料制备的多层片式ＺｎＯ压敏电阻器， 一种纳米材料制备的ＺｎＯ 瓷料和内电极层交错排布共同烧结而成， 其主要特点是ＺｎＯ瓷料的主体材料的颗粒形貌为 球形或近似球形， 平均粒径为１～９９ｎｍ的ＺｎＯ纳米粉体， 加入３～８％ （摩尔百分比） 的颗粒形貌为球形或近似球形的纳米粉体添加剂， 所述的内电极层是钯／银内电极层， 其中 钯的比例占钯／银内电极重量的１１～２５％，银的比例占钯／银内电极重量的７５～８ ９％，该ＺｎＯ瓷料和钯／银内电级层交错排布， 并在９５０～１１００℃的温度范围内烧 结而成。本发明还公开了一种上述纳米材料制备的多层片式ＺｎＯ压敏电阻器的制造方法。 本发明制备的１００５规格的多层片式ＺｎＯ压敏电阻器的非线性系数 α大于２０，漏电 流Ｉ ↓［Ｌ］小于２．０微安。 4.一种可降低材料成本的多层片式 ZnO 压敏电阻器化学法合成 本发明公开了一种可降低材料成本的多层片式ＺｎＯ压敏电阻器， 一种按常规生产工艺制造 的多层片式ＺｎＯ压敏电阻器， 其特征在于所述的多层片式ＺｎＯ压敏电阻器内部结构中的 保护层为纯ＺｎＯ瓷料或ＺｎＯ与其它氧化物组成的瓷体， 所述的活跃层 （有效层）为铋系 ＺｎＯ压敏瓷料或镨系ＺｎＯ压敏瓷料。 本发明的优点在于生产成本低及有利于防爬镀绝缘 层的涂覆而产品性能保持在原有水平。 本发明还公开了一种上述可降低材料成本的多层片式 ＺｎＯ压敏电阻器的制造方法。 5.氧化物粉体制备