二极管击穿理解的误区知识讲解.pdfVIP

二 极 管 击 穿 理 解 的 误 区 精品文档 其实初学者对于二极管击穿的问题，有时候会有一个误区，我就有过这样的情 况。尤其当我们看到二极管击穿电压可达到 1000V 甚至可能更高的时候，有些 人可能会产生这样一个疑问：我们了解到 硅二极管的正向导通压降约为 0.6~0.8V ，锗二极管的正向导通压降约为 0.2~0.3V ，而为什么，其击穿电压可 以达到 1000V 呢？ 对于这个问题我们先了解一下二极管的一些特性 1、二极管的正向性 外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服 PN 结 内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零，这一段称为死区。这个不能使二极管 导通的正向电压称为死区电压。当正向电压大于死区电压以后， PN 结内电场被 克服，二极管正向导通，电流随电压增大而迅速上升。在正常使用的电流范围 内，导通时二极管的端电压几乎维持不变，这个电压称为二极管的正向电压。 当二极管两端的正向电压超过一定数值，内电场很快被削弱，电流迅速增长， 二极管正向导通。叫做门坎电压或阈值电压，硅管约为 0.5V ，锗管约为 0.1V 。 硅二极管的正向导通压降约为 0.6~0.8V ，锗二极管的正向导通压降约为 0.2~0.3V。 2、二极管的反向性 外加反向电压不超过一定范围时，通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所 形成反向电流。由于反向电流很小，二极管处于截止状态。这个反向电流又称 为反向饱和电流或漏电流，二极管的反向饱和电流受温度影响很大。一般硅管 的反向电流比锗管小得多，小功率硅管的反响饱和电流在 nA 数量级，小功率 收集于网络，如有侵权请联系管理员删除 精品文档 锗管在μA 数量级。温度升高时，半导体受热激发，少数载流子数目增加，反向 饱和电流也随之增加。 击穿 外加反向电压超过某一数值时，反向电流会突然增大，这种现象称为电击穿。 引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时二极管失去单向导 电性。如果二极管没有因电击穿而引起过热，则单向导电性不一定会被永久破 坏，在撤除外加电压后，其性能仍可恢复，否则二极管就损坏了。因而使用时 应避免二极管外加的反向电压过高。 二极管是一种具有单向导电的二端器件，有电子二极管和晶体二极管之分，电 子二极管因为灯丝的热损耗，效率比晶体二极管低，所以现已很少见到，比较 常见和常用的多是晶体二极管。二极管的单向导电特性，几乎在所有的电子电 路中，都要用到半导体二极管，它在许多的电路中起着重要的作用，它是诞生 最早的半导体器件之一，其应用也非常广泛。 二极管的管压降：硅二极管（不发光类型）正向管压降 0.7V ，锗管正向管压降 为 0.3V，发光二极管正向管压降会随不同发光颜色而不同。主要有三种颜色， 具体压降参考值如下：红色发光二极管的压降为 2.0--2.2V ，黄色发光二极管的 压降为 1.8—2.0V，绿色发光二极管的压降为 3.0—3.2V ，正常发光时的额定电 流约为 20mA 。 如果仔细的话，我们不难从二极管的反向性得出结论，我们通常所说的二极管 的击穿，是指反向击穿，注意一个词语，这是关键，就是“ 反向 ”，通常所说的 击穿，都是反向击穿，使得二极管失去单向导通性。 收集于网络，如有侵权请联系管理员删除