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1.7 电力电子器件器件的保护 ;1.7 电力电子器件器件的保护;1.7.1 过电压的产生及过电压保护;1.7.1 过电压的产生及过电压保护;1.7.1 过电压的产生及过电压保护;1.7.2 过电流保护;1.7.2 过电流保护;1.7.2 过电流保护;1.7.3 缓冲电路(Snubber Circuit);1.7.3 缓冲电路(Snubber Circuit);1.7.3 缓冲电路(Snubber Circuit);1、我的经营理论是要让每个人都能感觉到自己的贡献,这种贡献看得见,摸得着,还能数得清。
2、你一生中卖的唯一产品就是你自己
3、 决定经济向前发展的并不是财富500强,他们只决定媒体、报纸、电视的头条,真正在GDP中占百分比最大的还是那些名不见经传的创新的中小企业;真正推动社会进步的也不是少数几个明星式的CEO,而是更多默默工作着的人,这些人也同样是名不见经传,甚至文化程度教育背景都不高,这些人中,有经理人、企业家,还有创业者。
4、在购买时,你可以用任何语言;但在销售时,你必须使用购买者的语言。
5、“时用则知物”,即从预测市场对商品需要的信息,预测市场商 品经营的情况。03 十二月 202110:13:01 上午10:13:0112月-21
6、在所有组织中,90%左右的问题是共同的,不同的只有10%。只有这10%需要适应这个组织特定的使命、特定的文化和特定语言。十二月 2110:13 上午12月-2110:13December 3, 2021
7、讲智谋,讲果断。以“智、 勇、仁、强”为经商要领,否则,“其智不足与权变,勇不足以决断,仁不能以取予,强不能有所守,虽欲学吾术,终不告之矣。2021/12/3 10:13:0110:13:0103 December 2021
8、企业的情况很复杂,所以应该有壮士断臂的勇气和决心,因为这个放弃减少了对他的很多压力和拖累,使他更有力量,寻找更好的机会来发展。10:13:01 上午10:13 上午10:13:0112月-21
;1.7.3 缓冲电路(Snubber Circuit);1.7.3 缓冲电路(Snubber Circuit);1.8 电力电子器件器件的串联和并联使用 ;1.8.1 晶闸管的串联
目的:当晶闸管额定电压小于要求时,可以串联
问题:理想串联希望器件分压相等,但因特性差异,使器件电压分配不均匀
静态不均压:串联的器件流过的漏电流相同,但因静态伏安特性的分散性,各器件分压不等
承受电压高的器件首??达到转折电压而导通,使另一个器件承担全部电压也导通,失去控制作用
反向时,可能使其中一个器件先反向击穿,另一个随之击穿
;1.8.1 晶闸管的串联;1.8.1 晶闸管的串联;1.8.2 晶闸管的并联;1.8.3 电力MOSFET和IGBT并联运行的特点;本章小结;本章小结;本章小结;图1-1 电力电子器件在实际应用中的系统组成;图1-2 电力二极管的外形、结构和电气图形符号;图1-3 PN结的形成;图1-4 电力二极管的伏安特性;图1-5 电力二极管的动态过程波形;图1-6 晶闸管的外形、结构和电气图形符号;图1-7 晶闸管的双晶体管模型及其工作原理;图1-8 晶闸管的伏安特性;图1-9 晶闸管的开通和关断过程波形 ;图1-10 双向晶闸管的电气图形符号和伏安特性;图1-11 逆导晶闸管的电气图形符号和伏安特性;图1-12 光控晶闸管的电气图形符号和伏安特性 ;图1-13 GTO的内部结构和电气图形符号;图1-14 GTO的开通和关断过程电流波形;图1-15 GTR的结构、电气图形符号和内部载流子的流动;图1-16 共发射极接法时GTR的输出特性;图1-17 GTR的开通和关断过程电流波形;图1-18 GTR的安全工作区;图1-19 电力MOSFET的结构和电气图形符号;图1-20 电力MOSFET的转移特性和输出特性;图1-21 电力MOSFET的开关过程;图1-22 IGBT的结构、简化等效电路和电气图形符号;图1-23 IGBT的转移特性和输出特性;?图1-24 IGBT的开关过程 ;图1-25 光耦合器的类型及接法;图1-26 理想的晶闸管触发脉冲电流波形;图1-27 常见的晶闸管触发电路 ;图1-28 推荐的GTO门极电压电流波形 ;图1-29 典型的直接耦合式GTO驱动电路 ;图1-30 理想的GTR基极驱动电流波形 ;图1-31 GTR的一种驱动电路;图1-32 电力MOSFET的一种驱动电路 ;图1-33 M57962L型IGBT驱动器的原理和
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