离子辅助轰击能量对类金刚石薄膜性能的影响.docVIP

离子辅助轰击能量对类金刚石薄膜性能的影响 　　为了减小摩擦或降低磨损，许多领域中都应用了不同种类的耐磨涂层以降低成本和提高性能。例如：硬盘和微型机械系统。高硬度、高弹性模量以及低摩擦系数对于防止耐磨涂层的塑性变形和脆性断裂是至关重要的。然而对于大多数材料而言，随着硬度的增加，它们的脆性也增加。而类金刚石薄膜（DLC）在具有高硬度的同时也能具有高的弹性［1，2］，这就使得DLC薄膜很适合于作为耐磨涂层。因此，近年来DLC薄膜的力学及摩擦学性能逐渐成为研究热点。 　　DLC薄膜可以用多种方法获得，如：溅射［3，4］，等离子体辅助化学气相沉积（PECVD）［5］和离子束辅助沉积（IBAD）［6］。和其他方法相比，IBAD是一种低温沉积方法，并且由于在薄膜沉积过程中，基体同时也受到离子的轰击，因此这种方法可使薄膜和基体之间具有很好的结合，有利于增强薄膜的摩擦学性能。本文将着重研究利用IBAD方法沉积的DLC薄膜的微观结构及其与薄膜表面形貌、弹性、硬度以及摩擦系数之间的关系。 1 实验方法 　　本文实验中采用的IBAD系统有两个宽束Kaufman离子源，分别用于溅射和辅助轰击。靶材为高纯石墨（99.99%）。选择Si（100）作为成膜基体，其表面粗糙度rms约为0.2 nm。工作气体为氩气，系统的本底真空为8×10-4Pa，工作气压为6×10-3Pa。实验前，用丙酮、乙醇清洗Si（100）基体，然后放入真空室，用能量为3 keV的Ar + 离子溅射清洗10min。石墨靶用能量为3 keV，束流为120 mA的Ar + 离子溅射。同时，沉积的DLC薄膜也用Ar + 离子辅助轰击，改变Ar + 离子辅助轰击的能量，可以获得不同的DLC薄膜。本文选择的辅助轰击能量为100,200,400,600和800 eV。薄膜厚度用触针式表面形貌仪测量。本文中所有薄膜厚度约为400 nm。 　　DLC薄膜的表面粗糙度用原子力显微镜（AFM）测量。原子力显微镜的针尖半径约为40 nm，材料为Si3N4 。薄膜的硬度分别采用努氏硬度计和纳米硬度计测量。测量努氏显微硬度时采用的载荷为0.1 N。测量纳米硬度时采用的是Berkovich金刚石针尖，载荷为1 mN，用Oliver和Pharr模型［7］计算。为了减小实验误差，硬度值为5次测量值的平均值。DLC薄膜的微观结构用激光拉曼谱分析，激光波长为488 nm。DLC薄膜的摩擦学性能用球-盘摩擦实验装置测试。球的材料为ZrO2 ，直径3mm，表面粗糙度rms约为10nm。摩擦实验中采用的载荷为40 mN，滑动速度为1 mm/s。实验中所用的ZrO2球在使用前都用丙酮进行超声清洗，并且每次实验均采用新的ZrO2球。摩擦实验时环境的相对湿度为(50±1)%。 2 实验结果与讨论 2.1 微观结构 　　图1是辅助轰击能量为400 eV时沉积的DLC薄膜的激光拉曼谱。如图所示，拉曼谱包含两个中心分别位于1550 cm-1（G峰）和1360 cm-1（D峰）附近的宽峰。D峰和G峰的强度比（Id/Ig ）与薄膜中sp 2 和sp 3 键含量之比成正比，并随sp 2 键含量的增多而增大［8］。表1是不同辅助轰击能量时薄膜的Id/Ig 值。从表1中可以看出，当辅助轰击能量为400 eV时，Id/Ig 值最小，也就是说此时sp 3 键含量最大。这是因为，只有当辅助轰击能量足以破坏结合能较低的sp 2 键而不足以破坏结合能较高的sp 3 键时，才能获得较高含量的sp 3 键［9］。此外，当辅助轰击能量适中时，薄膜表面的原子的活动性因离子的轰击而增强，这也有利于sp 3 键的形成。但是，当辅助轰击能量太高时，离子会破坏薄膜的表面并使薄膜石墨化。石墨化是一个由sp 3 键向sp 2 键转化的热力学过程，因此，存在一个适合于sp 3 键形成的最佳能量范围。 表1 不同离子辅助轰击能量下Id/Ig的值 Table 1 Id/Ig at different ion bombardment energy 离子辅助轰击能量／eV I d /I g 100 1.25 200 0.89 400 0.76 600 0.84 800 0.96 图1 离子辅助轰击能量为400eV时DLC薄膜的激光拉曼谱 Fig.1 Raman spectrum of the DLC film deposited at 400 eV ion bombardment energy 2.2 表面粗糙度 　　 　　图2是辅助轰击能量分别为400 eV和800 eV时薄膜表面的AFM图象。400 eV时薄膜的表面粗糙度rms约为0.15 nm，这比Si（100）基体的粗糙度还要小。 图2 不同离子辅助轰击能量下所得DLC薄膜的AFM图象 (a)400 eV；(b)80