Yb3和Tm3共掺NaYF4上转换薄膜的制备及其发光特性.docVIP

Yb3+和Tm3+共掺NaYF4上转换薄膜的制备及其发光特性 摘 要：文章采用高温固相反应合成了 NaY0.835Yb0.15Tm0.015F4块状材料，并用其作靶材，通过真 空热蒸发沉积技术在 AI2O3基板制备出了 Yb3+和Tm3+共掺 NaYF4上转换薄膜。在980nm激发下，可发射出裸眼可见的 亮蓝色上转换荧光。用荧光分光光度计测试了其上转换光谱， 并讨论了其上转换机理， 同时还研究了 TiO2对Yb3+和Tm3+ 共掺NaYF4薄膜上转换发光性能的影响。 关键词：氟化物薄膜；上转换；热蒸发； TiO2 1 概述 从1959年，Blombergen等人在多晶ZnS中发现上转换 至今已有 60 多年的历史，上转换材料因其在基础研究及实 际应用领域的巨大应用价值而引起了人们的广泛关注。其中， 稀土离子掺杂的氟化物体系 [1-11] 因其具有低的声子能量和 高的上转换效率而备受众多研究者的青睐。 研究发现，NaYF4是一种非常有效地上转换发光基质材 料，国内外研究者对其做了大量的研究工作 [4-8] ，其中吉林 大学秦伟平课题组做出的 Yb3+和Tm3+共掺的NaYF4微米晶 具有非常好的紫外上转换性能 [8]。然而，这些工作却主要集 中在对微纳米颗粒、棒、管及簇的研究上，却很少有对以 NaYF4为基质的上转换薄膜的报道，尽管其在全彩色显示、 太阳能电池及光存储等领域可能存在着更优越的潜在应用。 文章采用真空热蒸发技术，在 Al2O3 基板上沉积出一层 Yb3+和Tm3+共掺的NaYF4薄膜。在980nm激光器照射下， 可发射出裸眼可见的亮蓝色荧光。通过在 Yb3+和Tm3+共掺 的NaYF4薄膜下方镀制TiO2膜层发现，在相同激发条件下， 位于其下方的 TiO2 膜层， 对其上转换发光有着普遍增强， 和 对紫外区发光吸收的双重作用。 2 实验 2.1 靶材的制备 按NaY0.835Yb0.15Tm0.015F4比例称取原料后，放入玛 瑙研钵中研磨 30min 左右， 以使原料混合均匀。 为去除原料 中少量氧化物及防止氧化，将适量 NH4HF2与研磨好的混合 料放入氧化铝坩埚中，用石墨板将其送入真空气氛管式炉 （日新高温）中，抽低真空，缓慢升温至 900C,保温3个 小时候，停止加热，使炉温自然下降。待降至室温后，取出 烧制好的块状 NaY0.835Yb0.15Tm0.015F4材料，作为镀膜靶 材待用。 2.2 Yb3+和 Tm3+共掺NaYF4薄膜的制备 将A12O3基板经1300 C高温处理，并用去离子水超声洗 涤、烘干后，与制备好的块状 NaY0.835Yb0.15Tm0.015F4材 料一起放入箱式真空镀膜机 （成都真空） 中。打开烘烤系统， 加热基板至300C,同时打开真空系统。当真空度达到约15Pa 时，暂停抽真空，并打开轰击电源，对基板表面进行除尘， 约 5 分钟后，关闭轰击电源，继续抽真空操作。当真空度低 于5x 10-3Pa时，打开加热电源，逐渐加大加热功率，使靶 材融化。打开膜厚监测系统，打开挡板，开始薄膜镀制，调 整加热功率， 使平均沉积速率保持在 0.3nm/s 左右，约 60min 后，停止蒸镀，关闭真空系统及烘烤系统。待箱体温度降至 室温后，取出样品。 2.3 TiO2/Yb3+和Tm3+共掺NaYF4复合薄膜的制备 取 2 块处理好的将 Al2O3 基板，编号为 1#、2#。取 2# 基板与 TiO2 靶材一起放入箱式真空镀膜机中， 重复 2.2 中所 述操作，使平均沉积速率在 0.2nm/s左右保持15min，待箱 体温度降至室温后，将 1#基板连同自制 NaY0.835Yb0.15Tm0.015F4靶材也一起放入镀膜机中， 再重复 2.2 中所述操作，沉积速率与时间同 2.2保持一致，得 1#和 2#两个样品。 2.4 样品发光性能测试 用荧光分光光度计（日立 F-4500）测试薄膜的上转换发 射光谱。功率可调的 980nm 激光二极管做激发光源。 3 结果分析与讨论 对所制备的薄膜进行结构分析，图 1（ a）为氧化铝基片 的 XRD 图。图 1（ b）给出了 NaYF4: Yb3+，Tm3+薄膜的 XRD 图，除 27.5°、 36.6°和 65.0°处的三个小衍射峰外，其与 氧化铝基片的XRD图基本吻合，如图1 (a)所示，而没有其 他明显衍射峰， 27.5°、 36.6°和 65.0°处的三个衍射峰应 为未完全反应的氟化物原料，或在高温固相反应及镀膜过程 中所产生的氧化物或其他杂质衍射所致， 这说明此时 NaYF4： Yb3+, Tm3+薄膜主要为无定形态，应为薄膜沉积过程中，基 片温度较低(约300C),所提供的能量不足以使沉积在其表 面的薄膜形成一定的晶体结构。 图2为室温下Y