电解电容在低温下的ESR问题分析.pdfVIP

电解电容在低温下的 ESR 问题分析 在我们使用电解电容的时候， 我们常常关心到电解电容的容量， 工作频率， 使用寿命，高频特性；电解电容的使用纹波电流，温升情况及计算寿命参数等 等；对于电解电容在开关电源的使用时， 我们经常推荐使用高频低阻抗的电解 电容参数，往往厂家推荐的高频低阻抗是在常温下（ 18 －25 ℃）的参数；在 实际的应用中， 我们消费类产品为了满足全球工作的气候范围对产品的测试有 要求更低的温度范围， 比如零下 20 ℃！在实际工作中电解电容在－ 20 ℃时 电 解电容的容量会变低可能大家比较了解； 还有一个重要的参数低温下的电解电 容的 ESR 这个参数大家最容易忽略！电解电容在低温环境下的 ESR 比正常时 要高很多倍；在使用时我们需要重点考虑。 我将电解电容在低温－ 20 ℃时其高的 ESR 带来的应用问题进行分享； A ． 一显示驱动的背光系统采用 BOOST 的方案设计原理如下 BOOST 的升压供电部分 VLED ＋ 1 LED 的电流调整控制部分 B．如图中： 系统在常温工作环境下系统工作正常，系统在－ 15 ℃系统 启动时容易出现启动保护的情况！通过测试的 Data 如下： CH1 ：VLED －电解电容 CH3 ： 12V －VCC CH4 ：ILED 2 从测试的波形数据：输出的 LED 电流的尖峰值 跟 VLED 的输出电解电容 的电压变化一致；输出 VLED －电解电容上有较大尖峰电压 LED 的控制 MOS 管开通时其采样电阻上检测到对应的尖峰电流 CH1 ：VLED －电解电容 CH3 ： 12V －VCC CH4 ：ILED 将测试波形进行放大展开观察其细节波形：正常的设计电流 ILED ＝ 275mA ；正常工作时 IC 有过电流检测功能， 可以确定此时的 ILED 最大到 1A 超过 OCP 的保护值点超过内部检测机制控制时间后，系统进行了保护操作； 同时从每个开通的检测时间周期上来看每个输出 VLED －电解电容周期上都会 有一个输出的过冲电压 C．由于常温工作时系统无此现象；对于－ 15 ℃的工作的差异情况，由于 输出 V －LED 电解电容在每个开关周期都会出现输出过冲电压的情况； 在低温 下电解电容容量会变低， 先进行模拟电解电容变低的条件测试， 将原来的 22uF 3 ／160V 降低为 10uF 及 1uF 的测试数据如下： CH2 ：VLED －电解电容 C