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有源钳位正激变化器的工作原理 有源钳位正激变化器的工作原理 PAGE / NUMPAGES 有源钳位正激变化器的工作原理 第 2 章 有源箝位正激变换器的工作原理 2.1 有源箝位正激变换器拓扑的选择 单端正激变换器具有结构简单、 工作可靠、成本低廉、输入输出电气隔离、 易于多路输出等优 点，因而被广泛应用在中小功率变换场合。但是它有一个固有缺点： 在主开关管关断期间，必须附 加一个复位电路，以实现高频变压器的磁复位，防止变压器磁芯饱和 [36]。传统的磁复位技术包括 采用第三个复位绕组技术、无损的 LCD 箝位技术以及 RCD 箝位技术。这三种复位技术虽然都有 一定的优点，但是同时也存在一些缺陷 [37-39] 。 (1)第三复位绕组技术 采用第三个复位绕组技术正激变换器的优点是技术比较成熟，变压器 能量能够回馈给电网。 它存在的缺点是： 第三复位绕组使得变压器的设计和制作比较复杂； 变压器磁芯不是双向对称 磁化，因而利用率较低；原边主开关管承受的电压应力很大。 (2)RCD 箝位技术 采用 RCD 箝位技术正激变换器的优点是电路结构比较简单，成本低廉。 它存在的缺点是：在磁复位过程中， 磁化能量大部分都消耗在箝位网络中，因而效率较低； 磁 芯不是双向对称磁化，磁芯利用率较低。 LCD 箝位技术 采用无损的 LCD 箝位技术正激变换器的优点是磁场能量能够全部回馈给电网，效率较高。 它存在的缺点是： 在磁复位过程中， 箝位网络的谐振电流峰值较大， 增加了开关管的电流应力和通态损耗，因而效率较低；磁芯不是双向对称磁化，磁芯利用率较低。 而有源箝位正激变换器是在传统的正激式变换器的基础上， 增加了由箝位电容和箝位开关管串联构成的有源箝位支路， 虽然与传统的磁复位技术相比， 有源箝位磁复位技术增加了一个箝位开关管，提高了变换器的成本，但是有源箝位磁复位技术有以下几个优点： (1)有源箝位正激变换器的占空比可以大于 0.5，使得变压器的原副边匝比变大，从而可以有效地减少原边的导通损耗； (2)在变压器磁复位过程中，寄生元件中存储的能量可以回馈到电网，有利于变换器效率的提 高； (3)变压器磁芯双向对称磁化，工作在 B-H 回线的第一、三象限，因而有利于提高了磁芯的利 用率； (4)有源箝位正激变换器的变压器原边上的电压是是有规律的方波，能够为副边同步整流管提 供有效、简单的自驱动电压信号，因而大大降低了同步整流电路的复杂度。 图 2-1 低边有源箝位电路 Fig. 2-1 Low-Side active clamp circuit 图 2-2 高边有源箝位电路 Fig. 2-2 High-Side active clamp circuit 图 2-1 和图 2-2 是两种有源箝位正激变换器电路，这两种电路虽然看上去非常相似，但在工作 细节的具体实现上还是存在着不少差别 [40] 。本设计采用的是如图 2-1 所示的低边箝位电路。 在此对这两种电路的不同点做一个简要的分析。 (1)箝位电路的构成  如图  2-1 所示的有源箝位电路由一个  P 沟道功率  MOSFET  和一个箝位电 容串联组成，并联在主功率开关管的两端，一般称之为低边箝位电路。如图  2-2 所示的有源箝位电 路由一个 N 沟道功率 MOSFET 和一个箝位电容串联组成，并联在变压器的两端，称之为高边箝位 电路。 这两种电路之所以选用的功率 MOSFET 的沟道不同，主要是因为其内部体二极管的导通方向 不同。对于相同的电压和相同的模片区域， P 沟道功率 MOSFET 比 N 沟道功率 MOSFET 的通态电 阻要更高，通态损耗要更大，而且价格也要更贵。 (2)箝位电容上的电压 忽略电路中漏感的影响，根据变压器一次侧绕组两端伏秒积平衡的原理，可以得到低边箝位电路中箝位电容电压表达式为： Vin Vc (2-1) 1 D 由式 (2-1)可知， Vc 的表达式和升压式 (Boost)变换器的输出电压表达式一样， 因而图 2-1 所示的 电路又称为升压式箝位电路。 同理，可以得到高边箝位电路中箝位电容电压： DVin (2-2) Vc 1 D 由式 (2-2)可知， Vc 的表达式和反激 (Flyback)变换器的输出电压表达式一样， 因而图 2-2 所示的 电路又称为反激式箝位电路。 (3)栅极驱动的实现方法 箝位电路选择的不同，对箝位开关管的栅极驱动的要求也就不同。 对于高边箝位电路中的箝位开关管的驱动来说，箝位开关管 VT2 要采用浮驱动，因而需要通 过高边栅驱动电路或一个专用的门极驱动变压器来实现。而低边箝位电路的箝位开关管为 P 型管， 那么对于它的驱动来说，只需要由一个电阻、一个电容和一个二极管组成电平位移电路即可实现。相对于低边