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首 页第二章 电力电子器件概述 2.1 简介2.7 门极可关断晶闸管（GTO） 2.2 功率二极管 2.8 绝缘栅双极晶体管（IGBT） 2.3 晶闸管 2.9 MOS控制晶闸管（MCT） 2.4 可控开关的理想特征 2.10 可控开关的比较 2.5 双极结型晶体管和达林顿管 2.11 驱动和吸收电路 2.6 电力场效应晶体管（MOSFET） 2.12 半导体功率器件的选择 第二章 电力电子器件概述 返回下 页2.1 简 介半可控型功率半导体器件的分类功率二极管:导通和关断均由电路潮流决定。晶闸管:在器件在承受正向电压时，由控制信号控制器件的导通，而关断状态由电路潮流决定。可控开关 :由控制信号控制器件的导通和关断。 不可控型全控型第二章 电力电子器件概述 上 页返 回下 页电力场效应晶体管（MOSFET） 双极结型晶体管（BJT） 门极可关断晶闸管（GTO ）全控型电力电子器件 绝缘栅门极换流晶闸管（IGCT） 绝缘栅双极晶体管（IGBT） 第二章 电力电子器件概述 iDiDURMUD(I)AKUF反向截止区+ UD -上 页返 回下 页2.2 功率二极管2.2.1 功率二极管的基本特性 当功率二极管承受正向电压时，它的正向导通压降很小，大约在1V左右。当功率二极管承受反向电压时，只有极小的漏电流可通过该器件。 第二章 电力电子器件概述 iDiDiDURMUD(I)A