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硅集成电路专业考试基础知识 硅集成电路专业考试基础知识 硅集成电路专业考试基础知识 . 第一章： 1.常用的半导体资料为什么选择硅 （1 ）硅的充裕度。耗费更低的成本； （2 ）更高的融化温度同意更宽的工艺容限。硅 1412 ℃ 锗 937 ℃ 3 ）更宽的工作温度。增添了半导体的应用围和靠谱性； 4 ）氧化硅的自然生成，高质量、稳固的电绝缘资料 si,金刚石 110 面（线）密度最大， 111 面（线）密度最小 2.缺点：原生缺点（生长过程） 、有害杂质（加工过程） 1 ）点缺点：自空隙原子、空位、肖特基缺点（原原子跑到表面） 、弗伦克尔缺点（原原子进入空隙）、外来原子（替位式、空隙式） 2 ）线缺点：位错（刃位错（位错线垂直滑移方向） 、螺位错（位错线平行滑移方向） 、扩展位错（ T 增大，位错迁徙） ） 3 ）面缺点：层错（分界面上的缺点，与原子密聚积构造序次错杂相关） 4 ）体缺点：杂质堆积析出 5 ）有害杂质： 1）杂质条纹：电活性杂质的条纹状缺点，造成晶体电阻率的微区不均匀性 2）有害杂质 (三类 )：非金属、金属和重金属 非金属： O,C 重金属：铁、铜（引入复合中心，减小载流子寿命；易在位错处堆积） 金属 :Na,K（引入浅能级中心，参加导电； Al 引入对 N 型资料混杂起赔偿作用） 3.对衬底资料要求： 经过单晶生长过程中的质量控制和后续办理来提升单晶的质