第一节 晶体探管放大器设计.pptVIP

1、 输入电阻 ;即 在信号源输出与放大器输入端之间，串联一个已知电阻R(一般以选择R的值接近Ri的值为宜)，如上图所示。 ; 在输出波形不失真情况下，用晶体管毫伏表或示波器，分别测量出Vi与Vs的值，则 ;2、 输出电阻 ;Vo为放大器负载开路时的输出电压的值；VoL为接入RL后放大器负载上的电压的值 则 ;3、频率特性和通频带 ; 放大器的频率特性如图所示，影响放大器频率特性的主要因素是电路中存在的各种电容元件。 ;通频带 BW = fH – fL 式中，fH为放大器的上限频率，主要受晶体管的结电容及电路的分布电容的限制； fL为放大器的下限频率，主要受耦合电容CB、CC及射极旁路电容CE的影响。 ;? 频率特性和通频带 ;? 频率特性和通频带 ;BW的测试方法:;三、设计举例 ;提出设计指标;解 (1)拟定电路方案;解(2) 设置静态工作点并计算元件参数 ;解(2) 设置静态工作点并计算元件参数 ;因 ICQ已知;解(2) 设置静态工作点并计算元件参数 ;四、电路安装与调试;1. 静态工作点测量与调整 ;1. 静态工作点测量与调整 ;1. 静态工作点测量与调整 ;1. 静态工作点测量与调整 ;1. 静态工作点测量与调整 ;2. 性能指标测试与电路参数修改 ;2. 性能指标测试与电路参数修改 ;2. 性能指标测试与电路参数修改