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报告人：魏志超 InP-HBT的单粒子效应研究 主要内容 单粒子效应ISE仿真 空穴密度 电子密度 瞬态：集电极空穴流（1950ps后） 三维SHBT 集电极电势降低（0.12v） 三端电流 发射极 基极 集电极 发射极电流比较（与SHBT) DHBT SHBT 比较结果 发射极电流比SHBT小两个数量级 集电极和基极电流比SHBT大一个数量级以上 电路混合模拟仿真（Mixed-mode） System { Vsource_pset v0 (n1 n0) {pwl = (0.0e+00 0.0 1.0e-11 0.0 1.5e-11 2.0 10.0e-11 2.0 10.5e-11 0.0 20.0e-11 0.0)} NMOS nmos( source=n0 drain=n3 gate=n1 substrate=n0 ) PMOS pmos( source=n2 drain=n3 gate=n1 substrate=n2 ) Capacitor_pset c1 ( n3 n0 ){ capacitance = 3e-14 } Set (n0 = 0) Set (n2 = 2) Set (n3 = 2) Plot nodes.plt (time() n0 n1 n2 n3 ) } 加入system语句用来外连 例子中为cmos反相器的spice网表 ECL反相器 System { HBT trans (emitter=n1 collector=n2 base=n4) HBT trans2 (emitter=n1 collector=n3 base=n5) HBT trans3 (emitter=n7 collector=n1 base=n6) Vsource_pset v0(n4 n0) {pwl=(0.0e+0.0 0.000 1.0e-11 0.000 1.5e-11 3.5 10e-11 3.5 10.5e-11 0.000 20.0e-11 0.000)} r r1(n2 n8){r=140} r r2(n3 n8){r=140} r r3(n7 n0){r=50} v v1(n8 n0){type=dc dc=5} v v2(n5 n0){type=dc dc=2.5} v v3(n6 n0){type=dc dc=3} set (n0=0) set (n2=3.5) Plot nodes.plt (time() n2) } 电路仿真结果 输入 输出 西安电子科技大学